西安交通大学团队在《Rare Metal Materials and Engineering》发表SnO2@TiO2核-壳纳米线光催化研究新进展
作者及发表信息
本研究由西安交通大学金属材料强度国家重点实验室的赵盼(硕士生)与马大衍(通讯作者)合作完成,发表于2017年11月的《Rare Metal Materials and Engineering》第46卷第11期。研究受国家自然科学基金(51171145,51371136)和陕西省自然科学基金(2015JM5244)资助。
学术背景与研究目标
半导体光催化技术自1972年“本多-藤岛效应”(Honda-Fujishima effect)发现以来备受关注。TiO2因稳定性高、无毒且成本低成为研究热点,但其禁带宽度较大(仅响应紫外光)及光生载流子复合率高的问题制约了应用。为解决这一难题,研究团队提出构建SnO2@TiO2核-壳纳米线结构,通过能带二型匹配(type-II band alignment)抑制电子-空穴复合,同时利用一维纳米线的高比表面积提升光催化效率。研究重点探究TiO2壳层厚度及晶型(金红石rutile与锐钛矿anatase)对降解甲基橙性能的影响。
研究方法与流程
1. SnO2纳米线制备
- 采用化学气相沉积法(CVD,chemical vapor deposition),以高纯锡粉(99.9999%)为原料,在800℃、Ar/O2混合气氛下通过VLS(vapor-liquid-solid)机制生长。SEM显示纳米线直径20-100 nm,XRD与HRTEM证实其为单晶金红石结构,沿(101)晶向择优生长。
核-壳结构构建
表征与测试
主要结果
1. 结构验证
- SnO2纳米线为单晶金红石结构,ALD沉积的TiO2壳层厚度均匀,Al2O3插层成功实现锐钛矿晶型转变(XRD峰位与拉曼特征峰匹配)。
结论与价值
1. 科学价值
- 证实ALD外延生长可通过非晶插层调控晶型,为半导体异质结设计提供新思路。
- 阐明核-壳结构中能带二型匹配与晶型协同优化光催化活性的机制。
研究亮点
1. 方法创新:首创“Al2O3插层打破外延生长”策略,实现同一温度下锐钛矿TiO2的可控制备。
2. 性能突破:800循环锐钛矿核-壳材料降解率达80%,较纯TiO2提升8倍。
3. 机制深度:结合PL与HRTEM数据,从电子迁移和界面晶格畸变角度揭示性能差异根源。
其他发现
研究还观察到核-壳纳米线表面粗糙度随TiO2厚度增加而增大,可能与ALD边界尺寸效应相关,这一现象为后续界面工程研究提供了方向。