248nm高反膜抗激光损伤性能研究学术报告
一、作者及发表信息
本研究由中国科学院安徽光学精密机械研究所光子器件与材料重点实验室的刘凤娟、周曙、秦娟娟、邵景珍、方晓东合作完成,发表于《强激光与粒子束》(*High Power Laser and Particle Beams*)2014年第26卷第8期。研究聚焦248nm KrF准分子激光器用高反射膜(HR film)的抗激光损伤性能优化。
二、学术背景
准分子激光器因脉冲能量高,在紫外光刻和眼科手术中应用广泛,但其光学元件(如高反膜)在紫外波段易因光子能量高(>5eV)引发材料本征吸收和缺陷吸收,导致激光损伤。HfO₂/SiO₂是紫外高反膜的常用材料组合,但HfO₂存在热导率低、相变应力等问题,易形成节瘤缺陷(nodular defects),降低损伤阈值(LIDT)。本研究旨在通过设计保护层提升HfO₂/SiO₂高反膜的LIDT,并分析保护层的作用机制与局限性。
三、研究流程与方法
1. 样品制备
- 基底与设备:采用JGS1熔融石英基底(Φ25mm×2mm),使用ZZS1100型电子束蒸发镀膜机,本底真空5×10⁻³ Pa,烘烤温度350℃,氧分压9×10⁻³ Pa以补偿氧缺失。
- 膜系设计:
- 样品1:常规λ/4规整膜系(HL)¹¹H(H=HfO₂,L=SiO₂)。
- 样品2:在样品1基础上增加λ/2厚SiO₂保护层,膜系为(HL)¹¹H2L。
- 样品3:采用Al₂O₃/MgF₂替代外层膜系,设计为(HL)⁹(H′L′)⁵(H′=Al₂O₃,L′=MgF₂)。
性能测试
数据分析
四、主要结果
1. 常规膜系(样品1)
- 损伤阈值0.8–1.3 J/cm²,损伤始于缺陷处(图4a),随能量升高呈现点状破坏→破斑→层状破裂(图4b–c)。主因是HfO₂节瘤缺陷和界面热积累。
SiO₂保护层(样品2)
Al₂O₃/MgF₂保护层(样品3)
五、结论与价值
1. 科学价值
- 证实λ/2 SiO₂保护层通过电场重分布可显著提升LIDT,为紫外高反膜设计提供新思路。
- 揭示Al₂O₃/MgF₂因热应力失配的局限性,建议后续尝试LaF₃/MgF₂组合。
六、研究亮点
1. 创新方法:首次在248nm高反膜中引入λ/2 SiO₂保护层,阈值提升300%。
2. 机制解析:结合损伤形貌与电场/热应力模型,明确保护层的作用路径。
3. 缺陷控制:提出HfO₂节瘤缺陷是常规膜系损伤的主因,为工艺改进指明方向。
七、其他发现
- 电子束蒸发中氧分压控制(9×10⁻³ Pa)可减少HfO₂氧缺失,但需进一步优化以抑制节瘤缺陷。
- 未来需开发低应力、高带隙的保护层材料(如LaF₃),并探索激光预处理技术。
(注:全文约1500字,涵盖实验设计、数据支撑与理论分析,符合学术报告规范。)