类型b:学术报告
作者及机构
本文由王云平(大连交通大学材料科学与工程学院;大连大学)、刘世民(大连交通大学材料科学与工程学院,通讯作者)、董闯(大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,通讯作者)合作完成,发表于《Journal of Materials Engineering》(材料工程)2024年1月第52卷第1期(pp. 83-100)。
主题
本文题为《高熵陶瓷材料研究进展及挑战》(Research Progress and Challenge of High Entropy Ceramic Materials),是一篇系统性综述,全面梳理了高熵陶瓷(High Entropy Ceramics, HECs)的研究现状,涵盖其定义、高熵效应、成分设计理论、粉体与块体制备工艺、性能与应用,并展望了未来发展方向。
高熵陶瓷源于高熵合金(High Entropy Alloys, HEAs)的设计理念,其核心特征是由五种及以上主元以近等摩尔比构成的固溶体,通过高构型熵(δSconf)稳定微观结构。本文指出,高熵的定义随研究进展不断扩展:
- 熵值判据:根据玻尔兹曼公式(δSconf = -RΣxi lnxi),当δSconf ≥1.5R(即组元数n≥4.48)时,可视为高熵材料。
- 结构复杂性:高熵陶瓷的熵贡献不仅来自阳离子亚晶格(如金属元素),还受阴离子亚晶格(如氧、碳空位)影响,例如非氧化物高熵碳化物(HECs)中n≥4即可形成高熵效应。
支持理论:
- 引用Yeh(2004)提出的高熵合金初始定义,以及Rost等(2015)首次合成的熵稳定氧化物(Mg0.2Co0.2Ni0.2Zn0.2Cu0.2)O,证明高熵概念可拓展至陶瓷体系。
高熵陶瓷的性能优势源于其独特效应:
1. 高熵效应:高混合熵降低吉布斯自由能(ΔGmix=ΔHmix-TΔSmix),抑制相分离,促进单相固溶体形成。
2. 晶格畸变效应:多主元原子半径差异导致晶格扭曲,参数δ(尺寸差)量化畸变程度,例如(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Ti0.2)B2的δ=2.648%。
3. 迟滞扩散效应:畸变晶格增加原子扩散势垒,延缓动力学过程,提高高温稳定性。
4. “鸡尾酒”效应:多组元协同作用使性能非线性增强,如硬度、抗氧化性超越单一组元总和。
5. 热稳定性效应:高温下熵主导自由能,抑制相变,例如(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Ti0.2)C在极端环境下仍保持稳定。
实验证据:
- Wang等(2021)通过SPS烧结制备的(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Ti0.2)C展示出28.3 GPa的超高硬度,归因于晶格畸变与多组元强化。
本文归纳了多种成分设计判据,以指导单相高熵陶瓷的合成:
- 价态与尺寸协同策略:
- Jia等(2022)提出烧绿石结构La2(Yb0.2Y0.2Zr0.2Nb0.2Ta0.2)2O7的设计需满足价态差δ(Vb)≤0.35,尺寸差δ(rb)≤8%。
- 团簇加连接原子模型(CPGA):
- Liu等通过CPGA模型解析金红石结构高熵氧化物(如Ti8Sn8Nb8Ta8Me16O96),将复杂成分拆解为[Ti-O6]团簇单元,成功预测非等摩尔比体系的单相形成条件。
- 机器学习辅助设计:
- Wen等(2023)基于晶格常数差(δ)、混合焓(ΔHmix)等参数建立回归模型,预测(Mo0.25Nb0.25Ta0.25V0.25)(Al0.5Si0.5)的δ=1.893%,低于传统碳化物的4.59%,更易形成单相。
局限性:当前判据多针对氧化物体系,非氧化物(如硼化物、氮化物)的理论仍需完善。
粉体合成:
- 固相法:工艺简单但易引入杂质,如Zhang等(2023)制备的(La0.2Gd0.2Y0.2Yb0.2Er0.2)2Zr2O7热导率仅1.2 W·m⁻¹·K⁻¹,但球磨污染问题突出。
- 熔盐法:Chu等(2022)以NaF为介质,在1487 K下63秒合成19 nm的(Ta0.25Nb0.25Zr0.25Ti0.25)C,氧含量<2.98%。
- 前驱体转化法:Du等(2021)通过聚合物衍生路线在2200 ℃制备(Hf0.25Nb0.25Zr0.25Ti0.25)C,但残留0.51%氧杂质。
块体烧结:
- SPS技术:Qin等(2023)烧结的20TiB2-20ZrC-20NbB2-20HfC-20TaB2双相高熵陶瓷密度达99%,硬度呈线性可调。
- 振荡压力烧结(OPS):李明亮等(2021)在1900 ℃、10 Hz振荡频率下获得(Zr0.2Ta0.2Nb0.2Hf0.2Mo0.2)B2,热导率仅12.2 W·m⁻¹·K⁻¹,为ZrB2的1/10。
关键问题:非氧化物陶瓷的烧结温度过高(>2000 ℃)、致密度不足(普遍<98%),需开发低温高效工艺。
亮点:
- 首次将CPGA模型应用于高熵陶瓷设计,突破等摩尔比限制;
- 提出“晶格常数差δ”作为单相形成能力的关键参数,辅以机器学习量化预测;
- 指出学科交叉(如AI+3D打印)是未来制备工艺的创新方向。