本研究由Hai Ren、Weihua Shao、Li Ran(IEEE高级会员)、Gaofeng Hao、Lin Zhou、Philip Mawby(IEEE高级会员)和Huaping Jiang合作完成。主要研究机构包括中国重庆大学(State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology)和英国华威大学(University of Warwick)。研究成果发表于IEEE Transactions on Industry Applications期刊2021年7月/8月刊(Vol. 57, No. 4)。
本研究属于电力电子器件热管理领域,聚焦于电压源换流器-高压直流输电(VSC-HVDC)系统中功率半导体器件的动态过载能力提升问题。随着可再生能源大规模并网,电网对VSC-HVDC系统的故障穿越能力提出了更高要求,例如在电网短路时需提供150%额定电流持续30秒的支撑能力。然而,传统功率模块(如IGBT和快恢复二极管FRD)的短期过流能力受限于芯片温升,亟需通过创新热管理技术解决这一瓶颈。
本研究提出将相变材料(Phase Change Material, PCM)集成到压接式功率模块中,利用PCM的潜热吸收特性抑制瞬态温升,从而提升器件的短期过流能力。研究以快恢复二极管(FRD)为对象,通过实验与有限元分析(FEA)验证设计的有效性,并探讨多芯片模块的扩展应用潜力。
研究团队基于高性能(高潜热、高导热性、合适熔点)和实用性(低体积变化、化学稳定性、无毒)两大准则,从固-液PCM中筛选出商用铋基合金LM108。其特性如下:
- 熔点:108°C
- 潜热:45 kJ/kg
- 热导率:35 W/(m·K)
- 符合RoHS标准
在传统压接模块(基于ABB StakPak技术)基础上,提出将PCM集成于钼制血小板(platelet)中(图3b)。关键设计要点包括:
- 位置优化:PCM置于芯片上方的血小板内,减少热传递延迟(图4a)。
- 封装工艺:在血小板侧面钻孔(3个M4螺丝孔,深度18.5 mm)填充PCM,预留3%体积膨胀空间,采用高温密封膜防止泄漏。
- 热路径保留:80%稳态热量仍通过基板(baseplate)散出,避免影响正常工况热阻。
搭建如图6所示的实验系统,核心组件包括:
- 待测器件(DUT):4.5 kV/125 A FRD子模块,对比传统结构与PCM集成结构。
- 热成像:FLIR SC7000红外相机(分辨率640×512,采样率115 Hz)测量侧面温度。
- 热电偶:芯片阳极中心点温度直接测量(精度±0.5°C)。
- 负载模拟:50 V/200 A直流电源模拟电网故障工况(表III)。
模拟两种电网电压跌落场景:
- Case I:电压跌至0.7 p.u.,无功功率加倍(等效2.0 p.u.过流)。
- Case II:电压跌至0.6 p.u.,等效2.4 p.u.过流(图7)。
采用COMSOL建立三维热模型,关键建模策略:
- PCM相变模型:通过温度依赖的热容函数模拟潜热吸收(公式5)。
- 接触热阻:基于表面粗糙度与压力计算界面导热系数(公式3-4)。
- 芯片热源分布:将FRD活性区分两层建模(PN结层与漂移区层),分别分配损耗(图11)。
模型通过实验数据校准,侧表面温度模拟误差<10%(图12)。
通过布局优化(图17),PCM集成模块的占地面积可仅比传统设计增加35%,未来通过腔体结构设计有望进一步缩减。
研究附录详细提供了FRD器件参数(表IV)与各封装层热阻数据(表V-VI),为同行复现研究奠定基础。此外,作者指出该技术可扩展至IGBT芯片,仅需为栅极垫(gate pad)预留凹槽即可(图17b)。