学术研究报告:MEMS电容式加速度计中寄生电容温度特性的研究
一、研究团队与发表信息
本研究由Xianshan Dong(第一作者)、Qinwen Huang(共同通讯作者)等合作完成,作者单位包括中国工业和信息化部电子第五研究所(电子元器件可靠性物理与应用技术重点实验室)及中国工程物理研究院电子工程研究所。研究成果发表于2019年的《Sensors and Actuators A: Physical》期刊(卷285,页码581–587)。
二、学术背景与研究目标
MEMS(微机电系统)电容式加速度计在军事和工业领域(如惯性导航系统)应用广泛,但其温度性能是制约高精度应用的关键因素。传统研究多关注热应力对偏置漂移(bias drift)的影响,而寄生电容(parasitic capacitance)的温度特性及其对性能的恶化作用长期缺乏定量研究。本研究首次系统分析了寄生电容随温度变化的特性,分离了其对偏置漂移的独立贡献,并提出了降低温度漂移和非线性的新方法。
三、研究流程与方法
1. 研究对象与实验设计
- 两种加速度计结构:
- 梳齿结构(Comb-finger):采用硅-玻璃异质结构,灵敏度200 fF/g,寄生电容失配(mismatch)1 fF可导致5 mg偏置。
- 三明治结构(Sandwich):全硅三层结构,热应力更小,但寄生电容更大(>340 fF)。
- 实验系统:
- 闭环力平衡式加速度计,外部电压源提供预载电压(pre-load voltage),通过高精度电压表(Agilent 34461A)采集输出。
- 温箱测试范围:-45°C至60°C,梯度1°C/min,每15°C为一个测试点。
寄生电容测量方法
数据分析流程
四、主要研究结果
1. 梳齿结构加速度计
- 寄生电容特性:失配值在-9.74 fF至-11.44 fF间非单调变化,低温区变化更显著(范围1.7 fF)。
- 偏置漂移分解:
- 寄生电容贡献:0.11–3.81 mg(随预载电压增加)。
- 热应力贡献:15.98 mg(主导因素)。
- 关键发现:寄生电容虽非主导,但其影响不可忽略(尤其在高压条件下)。
五、研究结论与价值
1. 科学价值:
- 首次定量分离寄生电容对偏置漂移的独立贡献,揭示了其与热应力的协同作用机制。
- 提出基于预载电压调节和线性补偿的寄生电容漂移抑制方法,为高精度MEMS设计提供新思路。
六、研究亮点
1. 方法创新:开发了基于静电负刚度的寄生电容失配测量技术,解决了闭环系统难以直接测量寄生参数的难题。
2. 结构对比:通过梳齿与三明治结构的对比实验,明确了不同设计对寄生电容敏感性的差异。
3. 工程指导性:提出的预载电压优化策略无需硬件改动,可直接应用于现有产品。
七、其他发现
- 三明治结构虽热应力小,但寄生电容问题更突出,需在设计中优先考虑对称布线与封装优化。
- 非线性温度特性可通过寄生电容的线性拟合补偿,后续研究可进一步探索自适应补偿算法。