本文档属于类型b(综述类论文),以下为针对中国读者的学术报告:
作者及机构:
Dongzhi Zhang(中国石油大学(华东)控制科学与工程学院)、Zhimin Yang、Sujing Yu、Qian Mi、Qiannan Pan
期刊与时间:
*Coordination Chemistry Reviews*,2020年3月23日在线发表
本文综述了金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductors, MOS)基气体传感器的研究进展,重点探讨了通过功能化杂化策略提升传感性能的多种途径。MOS材料(如ZnO、SnO₂、WO₃等)因成本低、灵敏度高、易于制造等优势被广泛应用于爆炸性、易燃性和有毒气体检测,但其高工作温度、湿度干扰和选择性不足等问题限制了实际应用。本文旨在总结通过异质结构建、二维材料复合、导电聚合物修饰、金属有机框架(MOFs)衍生等策略优化MOS传感器性能的最新成果,并展望其在可穿戴设备、电子鼻和自供能传感中的应用前景。
核心机制:MOS传感器的电阻变化源于气体分子与表面化学吸附氧(O₂⁻、O⁻、O²⁻)的相互作用。例如,p型NiO暴露于空气中时,氧分子捕获电子形成空穴积累层(HAL),导致电阻降低;接触还原性气体(如H₂)后,电子释放回导带,电阻升高。
关键影响因素:
- 微观结构:晶粒尺寸、孔隙率(如SnO₂薄膜的孔隙率从70.8%提升至99.5%可显著提高响应速度)和缺陷结构(如氧空位浓度与ZnO纳米线的NO₂响应呈线性正相关)。
- 湿度干扰:水分子与吸附氧反应生成羟基(OH⁻),抑制气体吸附。解决方案包括Pr掺杂In₂O₃通过Ce³⁺/Ce⁴⁺氧化还原循环清除羟基,或Al₂O₃涂层隔离水分。
- 光激发辅助:紫外光(365 nm)可增强ZnO-Ag异质结对NO₂的响应(188% @ 0.2 ppb),通过促进电子-空穴分离和加速气体脱附。
支持数据:
- Xu等对比多孔多晶In₂O₃(PP-In₂O₃)与单晶In₂O₃(PS-In₂O₃),后者因无晶界屏障对三甲胺(TMA)响应提升3倍(320℃)。
- Lee团队报道12% Pr掺杂In₂O₃在80%湿度下对丙酮响应保持不变,验证了抗湿机制。
Pt/WO₃介孔材料对CO的响应提升至10(100 ppm @125℃),因Pt的催化效应和氧空位增加;Pd/SnO₂在潮湿环境中响应稳定性优于纯SnO₂。
PPy/SnO₂纳米纤维对NH₃的响应达57%(100 ppb @室温),得益于PPy的-NH-基团与NH₃的相互作用及p-n结效应。
亮点:
- 首次综述MOFs衍生MOS在气体传感中的应用,强调其可调孔隙与高比表面积优势。
- 提出“异质结-光激发-湿度补偿”协同优化策略,为室温传感提供新范式。
(注:全文约2000字,涵盖原文核心观点、数据支撑及逻辑框架)