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无序调谐导电性的非晶单层碳

期刊:natureDOI:10.1038/s41586-022-05617-w

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单层非晶碳中无序度调控导电性的突破性研究

作者与机构
该研究由北京大学、中国科学院大学、新加坡国立大学等21个机构的跨国团队合作完成,通讯作者为北京大学材料科学与工程学院的Ji Chen、Wu Zhou和Lei Liu。研究团队包括Huifeng Tian、Yinhang Ma等18位共同第一作者。研究成果于2023年3月2日发表在《Nature》期刊(Volume 615),论文标题为《Disorder-tuned conductivity in amorphous monolayer carbon》。


学术背景
1. 研究领域:凝聚态物理与二维材料科学交叉领域,聚焦非晶材料原子结构与宏观性能的关联机制。
2. 科学问题:传统三维非晶固体因原子位置难以精确测定,其无序度(degree of disorder, DoD)与导电性的因果关系长期存在争议。二维非晶碳(amorphous monolayer carbon, AMC)因其原子级成像优势,为破解这一难题提供了新平台。
3. 研究目标:通过生长温度调控AMC的无序度,建立原子构型(包括中程有序性)与导电性的定量关系,揭示非晶材料的构效关系本质。


研究流程与方法
1. 材料合成
- 化学气相沉积(CVD)生长:以硼氮掺杂的1,8-二溴萘为前驱体,在铜箔基底上200–800°C温度区间制备AMC薄膜。关键创新是通过25°C的温控精度(如300°C vs 325°C)实现导电性跨越9个数量级的调控。
- 转移技术:采用PMMA辅助湿法转移至SiO₂/Si衬底或TEM载网,避免聚合物污染。

  1. 结构表征

    • 原子分辨率成像:利用Nion U-HERMES100球差校正扫描透射电镜(STEM)在60 kV下获取环形暗场像(ADF-STEM),解析sp²碳的三配位连续网络。
    • 四维STEM纳米束衍射(4D-STEM):通过6×6 nm²区域的平均衍射花样,定量分析纳米晶(nanocrystallite)与连续随机网络(continuous random network, CRN)的空间分布。
    • 对分布函数(PDF)分析:从ADF-STEM图像中提取原子坐标,计算g®函数区分短程有序(SRO, Å)和中程有序(MRO, 6–10 Å)。
  2. 性能测试

    • 电学测量:采用四探针法(TLM)测定方块电阻(Rₛ),发现AMC-300的Rₛ为32 kΩ/□,而AMC-325因MRO消失导致Rₛ骤增至10¹⁴ Ω/□。
    • 变温输运实验:证实AMC-300符合二维变程跳跃导电模型(Mott’s 2D variable-range hopping),其lnI∝T^(-13)关系通过PPMS-16低温系统验证。
  3. 理论计算

    • 密度泛函理论(DFT):模拟纳米晶与CRN区域的电子态密度,发现六元环主导区域具有更高电导率。
    • 蒙特卡洛模拟:基于实验原子坐标构建电子跳跃模型,揭示导电性由两个序参量共同决定:MRO水平(η_MRO)和导电位点密度(ρ_sites)。

主要结果
1. 温度依赖的结构演化
- AMC-300:含直径3.5 nm的纳米晶(270个六元环),g®函数显示显著MRO特征(6–10 Å范围内三个宽峰)。
- AMC-400500:纳米晶尺寸缩小至<70个六元环,CRN区域占比增至45%,g®中MRO信号消失。

  1. 导电性突变机制

    • 阈值温度效应:300°C生长的AMC具有渗流导电通路,而325°C样品因纳米晶密度降低导致电子局域化。理论计算表明,η_MRO降低7倍可使电导率下降10⁷倍(图4d)。
  2. 构效关系模型

    • 提出二维非晶材料的“双序参量相图”:当ρ_sites > 6,000 nm⁻²且η_MRO > 0.2时,材料表现为半导体;反之则为绝缘体(图4a)。

结论与价值
1. 科学意义:首次在原子尺度建立非晶材料无序度与导电性的定量关系,验证了“微晶镶嵌”模型优于传统随机网络理论。
2. 技术应用:为二维非晶电子器件(如柔性传感器、忆阻器)的定向设计提供理论框架。
3. 方法论创新:发展4D-STEM与PDF联用技术,为其他二维非晶体系(如非晶BN、SiO₂)的研究树立范式。


研究亮点
1. 颠覆性发现:25°C的温控差异可实现绝缘体-导体的极端转变,突破传统非晶材料性能调控的认知极限。
2. 跨尺度表征:从Å级原子排列到μm级电学性能的多尺度关联分析,填补了非晶材料“结构鸿沟”。
3. 理论实验闭环:通过DFT与蒙特卡洛模拟逆向指导实验设计,实现“按需定制”电导率。

其他价值
该研究开发的硼氮掺杂前驱体低温裂解技术(专利未公开)可拓展至其他二维非晶材料的可控制备,具有工业化应用潜力。

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