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用于双层和三层二维材料晶格畸变与层间距测量的干涉4D-STEM技术

期刊:SmallDOI:10.1002/smll.202100388

干涉式四维扫描透射电子显微技术:测量双层与三层二维材料晶格畸变与层间距

一、 研究作者、机构与发表信息

本研究由来自美国橡树岭国家实验室(Oak Ridge National Laboratory)纳米相材料科学中心的Michael J. Zachman博士和Miaofang Chi博士、奥地利维也纳大学(University of Vienna)物理学院的Jacob Madsen博士和Toma Susi教授,以及美国莱斯大学(Rice University)材料科学与纳米工程系的Xiang Zhang博士和Pulickel M. Ajayan教授合作完成。该研究以题为“Interferometric 4D-STEM for Lattice Distortion and Interlayer Spacing Measurements of Bilayer and Trilayer 2D Materials”的论文形式,于2021年发表在学术期刊《Small》上(卷17,文章编号2100388)。

二、 学术背景与研究目标

本研究属于凝聚态物理、材料科学和先进电子显微学交叉领域。二维材料的电子特性,如石墨烯,高度依赖于其精确的原子结构,包括单层内的面内结构以及堆叠层间的面外结构。例如,扭曲双层石墨烯在特定的“魔角”下会转变为超导态,并且在低扭角下会发生面内结构重构,从而显著改变其电子态。类似地,三层石墨烯的堆叠顺序和相对取向也能调控其电子特性,如ABA堆垛为半金属,而ABC堆垛为半导体。因此,精确测定这些材料的原子级三维构型对于理解和调控其奇异物理性质至关重要。

然而,现有的结构表征技术各有局限。传统扫描隧道显微镜(STM)和透射电子显微镜(TEM)技术,如环形暗场扫描透射电子显微镜(ADF-STEM),虽然能提供高分辨率信息,但对于碳等轻元素信号较弱,且难以区分不同层中的原子,也无法直接获取面外(层间)结构信息。一些基于衍射的技术虽能提供平均晶格变形信息,但通常局限于极低扭角(<2-3°),且无法测量扭角方向或层间距。

基于此,本研究旨在开发并演示一种新型的干涉式四维扫描透射电子显微(4D-STEM)技术。该技术旨在克服上述限制,实现对少数层二维材料(如双层和三层石墨烯)局部结构的高精度、三维信息获取。具体研究目标包括:1)以皮米(pm)精度测量局部面内晶格畸变;2)确定层间相对扭转的方向;3)测量平均层间距离。最终,该技术将为理解少数层二维材料精确三维结构与电子特性之间的复杂关联提供强有力的工具。

三、 研究方法与工作流程

本研究包含理论模拟、实验验证和数据分析三个主要部分,工作流程环环相扣。

1. 技术原理与模拟验证: 研究的核心是干涉式4D-STEM技术的原理开发与模拟验证。该方法利用离焦的电子束探针照射样品。对于扭曲的双层材料,上下两层会产生略微错开的衍射布拉格斑。当探针离焦时,来自上下两层的衍射束在衍射平面上对应的布拉格斑重叠区域会发生干涉,产生可见的干涉条纹。这些干涉条纹的相位、波长和角度编码了原子相对位置的三维信息:条纹的相位移动直接对应两层原子在面内相对位置的偏移;条纹的旋转角度与层间距离相关;条纹的方向则能反映层间扭转的方向。

为了验证这一原理并量化其测量能力,研究团队首先进行了多尺度模拟: * 密度泛函理论(DFT)计算:构建了一个具有3.15°公度扭转角的双层石墨烯超胞模型,并使用范德华密度泛函进行了结构弛豫,获得了原子位置因层间相互作用而偏离刚性扭转的理论预测结构,其中最大位移达4.6皮米。 * 多层法(Multislice)电子衍射模拟:将DFT弛豫后的原子结构作为输入,使用abTEM软件包模拟了在该结构上实施4D-STEM实验(特定的束流参数:收敛半角~10 mrad,离焦值等)所应获得的衍射图样数据集。 * 数据分析算法开发:开发了一套从模拟的4D-STEM数据中提取结构信息的算法流程。对于每个探针位置采集的衍射图,将相对的一对布拉格斑叠加,并在重叠区域应用圆形掩模。随后,用一个预设或拟合了波长和方向的余弦函数去拟合该区域的干涉条纹,从而精确提取出条纹的相位。通过整合三个不同方向的布拉格斑对得到的相位信息,并结合结构因子与原子位置的关系,可以重构出两层原子在面内的相对位移矢量场,进而计算局部扭转角的变化。

模拟结果显示,该技术能够成功地从模拟数据中重建出DFT预测的晶格畸变特征(例如在AA堆垛区域周围的位移),尽管由于有限探针尺寸的平均效应,测量到的位移幅度约为实际值的一半。这证明了该技术原理的可行性。

2. 实验材料制备与数据采集: * 样品制备:通过化学气相沉积法在铜箔上生长单层石墨烯,并利用聚合物辅助湿法转移技术,将两层石墨烯依次转移到用于原位加热的TEM芯片上,形成具有随机扭转角的双层或三层石墨烯样品。实验前,样品在显微镜内被加热至约1200°C以去除挥发性污染物。 * 4D-STEM实验:实验在Nion UltraSTEM 100显微镜上进行,加速电压为60 kV。为了优化干涉条纹的信噪比和可测量性,采用了特定的束流条件:较大的束流(~120 pA)以提高信号,以及足够大但不导致单层布拉格斑重叠的收敛角(~10 mrad)。探针被故意离焦(约320 nm)以产生清晰的干涉条纹。使用高速CMOS探测器(Hamamatsu Orca)以128x128的网格扫描样品区域,在每个探针位置记录完整的二维衍射图样(即4D数据:两维实空间坐标,两维倒易空间坐标)。同时,也采集了高分辨环形暗场(ADF-STEM)图像用于对比和确定平均扭转角。

3. 实验数据处理与分析: 实验数据的处理流程与模拟分析类似,但增加了从实验数据自身确定关键参数(如离焦量)的步骤,提高了技术的鲁棒性。 * 数据预处理:对每个探针位置的衍射图进行平均衍射图扣除,以突出干涉条纹的振荡信号。 * 参数确定与拟合:首先,从重构的ADF图像或衍射图样中测量样品的平均扭转角。然后,通过拟合干涉条纹的波长,结合已知的电子波长和扭转角,利用几何关系公式反推出实验所用的有效离焦值(约320 nm),从而避免了对仪器离焦标定的绝对依赖。接着,使用与模拟分析相同的余弦函数拟合方法,提取每个位置、每个布拉格斑对重叠区域的干涉条纹相位。 * 结构信息提取:将提取的相位信息进行解包裹(消除2π跳变),得到连续的相位变化图。结合不同方向的相位信息,计算出两层原子在面内的相对位移场。通过对位移场进行空间微分,可以进一步得到局部扭转角的变化图。对于层间距测量,则通过分析干涉条纹在重叠区域内的平均旋转角度,结合已知的离焦和扭转角,利用公式计算出平均层间距离。

四、 主要研究结果

1. 对双层石墨烯晶格畸变的高分辨率映射: 研究团队首先将新方法应用于一个扭转角约为1.3°的双层石墨烯区域。通过分析4D-STEM数据,成功绘制了该区域原子相对位移的纳米级分辨率地图。结果显示,位移场呈现周期性变化,与莫尔条纹周期对应。更重要的是,通过分析一个具有3.15°扭转角的DFT弛豫结构对应的模拟4D数据,该方法成功重建了DFT预测的面内晶格畸变特征:在AA堆垛区域周围观察到明显的原子位移,而在AB/BA和SP堆垛区域周围位移很小。计算得到的局部扭转角偏差图进一步揭示了在AA位点附近扭转角增加、在AB位点附近减小的初始重构迹象。这些结果直接验证了该技术以皮米精度探测局部晶格畸变的能力,且空间分辨率达到纳米尺度。

2. 对三层石墨烯堆叠序列的直接判定: 该方法的一个突出优势是能够同时获取面内畸变和面外层间距信息。研究团队将其应用于一个三层石墨烯样品,该样品包含一对低扭角层(~1.35°)和一个相对于它们高扭角(~28°)的第三层。通过分析低扭角层产生的干涉条纹的平均旋转角度(测量为5.2°),计算得出的平均层间距约为7.0 Å,这大约是典型双层石墨烯层间距(~3.4 Å)的两倍。这一结果直接表明,两个低扭角层并非彼此相邻,而是被高扭角层隔开(即“高-低-高”的堆叠序列)。因为如果两个低扭角层相邻,其层间距应接近3.4 Å,干涉条纹的旋转角度会小得多。

3. 利用面内畸变信息验证堆叠序列: 作为交叉验证,研究团队同样分析了该三层石墨烯区域的面内相对位移和局部扭转角变化。结果显示,在整个扫描区域内,没有观察到与低扭角莫尔周期相对应的周期性晶格畸变(如图4中对3.15°双层石墨烯所观察到的那样),仅存在缓慢变化的背景扭转梯度(约0.13°)和一些高频噪声。这一发现与“高扭角层位于中间”的堆叠序列推断相一致。因为高扭角(~28°)层间的相互作用很弱,不会引发长程结构重构,并且当它位于两个低扭角层之间时,会有效地屏蔽这两个低扭角层之间的强相互作用,从而抑制了周期性晶格畸变的产生。DFT对27.8°高扭角双层结构的弛豫计算也证实,该结构仅存在极其微弱的原子位移(~40 fm),没有长程重构。因此,面内畸变测量的“阴性”结果(即没有强周期性畸变)与层间距测量的“阳性”结果(~7.0 Å)共同、确凿地指认了该三层石墨烯的堆叠序列为“高-低-高”构型。

4. 技术灵敏度与噪声水平评估: 通过对三层石墨烯样品(其中低扭角层被屏蔽)的面内位移分析,本研究也评估了当前实验条件下的技术噪声水平。位移幅度的平均值约为2.0 pm,局部扭转角偏差的标准差约为0.06°。这一噪声水平使得该方法能够可靠地检测出如3°扭转双层石墨烯中出现的晶格畸变(DFT预测最大位移~4.6 pm)。研究指出,当前限制主要来自探测器的灵敏度和动态范围,未来使用更先进的直接电子探测器(如pnCCD, Medipix, EMPAD)有望将测量灵敏度提升至1 pm甚至更低。

五、 研究结论与价值

本研究成功开发并实验演示了一种全新的干涉式4D-STEM技术。该技术利用离焦探针下布拉格斑重叠区域的干涉效应,能够从少数层二维材料(如扭曲双层和三层石墨烯)中直接、同时提取三维结构信息。具体而言,该技术能够: 1. 以皮米精度和纳米级空间分辨率绘制局部面内晶格畸变。 2. 确定层间相对扭转的方向。 3. 测量平均层间距离,从而在特定情况下直接判定多层材料的堆叠序列。

这项技术的科学价值在于,它为解决二维材料研究中的一个关键挑战——精确表征原子级三维结构——提供了一种强有力的综合手段。通过将面内畸变、扭转方向和层间距的测量能力集于一身,该技术能够更全面地揭示少数层范德华材料中精确原子构型与奇异电子性质(如超导、拓扑态等)之间的内在联系,为理解和调控这类材料的性能提供了至关重要的结构信息。其应用价值则体现在为“扭电子学”(Twistronics)及相关领域的研究者提供了一种以前难以实现的、全面的结构表征工具。

六、 研究亮点

  1. 方法创新性:提出了全新的“干涉式4D-STEM”概念,将电子束离焦、布拉格干涉与4D-STEM的空间分辨能力巧妙结合,实现了从二维投影数据中提取三维结构信息。
  2. 测量能力全面:首次在同一技术框架下,实现了对少数层二维材料局部面内畸变(皮米级)、扭转方向和平均层间距的同步测量,突破了现有技术的局限。
  3. 原理验证充分:通过DFT计算、多层法模拟与实验测量三者结合,严谨地验证了技术原理,并量化了其测量精度和噪声水平。
  4. 解决具体科学问题:不仅演示了技术,还将其成功应用于判定三层石墨烯的堆叠序列这一具体科学问题,展示了其解决实际复杂结构问题的能力。
  5. 指明未来方向:明确指出了当前技术噪声主要源于探测器,并展望了使用更先进探测器将灵敏度提升至亚皮米级、进而实现完整三维原子位置映射的潜力。

七、 其他有价值内容

研究在“实验部分”详细描述了材料合成(CVD生长石墨烯)、样品制备(聚合物辅助转移法)、DFT计算细节(使用GPAW软件包、C09范德华泛函)、4D-STEM模拟参数(使用abTEM代码)以及具体的数据处理算法(包括相位解包裹、位移场计算和局部扭转角推导公式),为其他研究者复现和应用该方法提供了充分的技术细节。此外,文中还讨论了残余污染物对测量的影响,指出在较薄的污染区域下,干涉条纹依然可见且可拟合,但会降低测量精度,这为实际实验中的样品准备和质量评估提供了参考。

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