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甲酸控制反应生长高质量Cs3Cu2I5单晶

期刊:crystengcommDOI:10.1039/d3ce00594a

本研究由上海大学材料科学与工程学院的Jianming Lai、Qiutao Pan、Wenzhen Wang等学者团队完成,并于2023年8月8日发表在晶体工程领域期刊《CrystEngComm》上(DOI: 10.1039/d3ce00594a)。研究聚焦于低维铜基卤化物钙钛矿(copper-based halide perovskite)Cs₃Cu₂I₅单晶的生长优化,通过甲酸(formic acid)调控晶体生长动力学,显著提升了晶体质量与闪烁性能。

学术背景

Cs₃Cu₂I₅因其在空气中稳定性高、斯托克斯位移(Stokes shift)大、无自吸收等特性,成为光电子学和辐射探测领域的新型闪烁体材料。然而,传统溶液法生长的Cs₃Cu₂I₅单晶存在晶面不清晰、结晶质量差的问题,而熔融法(melting method)虽能获得高质量晶体,但设备成本高、能耗大。因此,本研究旨在通过溶液法开发一种低成本、高质量的晶体生长策略,通过反应控制生长(reaction-controlled growth)解决上述问题。

研究流程与方法

1. 晶体生长设计

研究采用逆温结晶法(inverse temperature crystallization, ITC),在DMSO/DMF混合溶剂中加入甲酸作为反应调控剂。实验分为两组:
- 甲酸组:将CuI和CsI溶解于含600 μL甲酸的溶剂中,30℃搅拌4小时,随后以1℃/天的速率升温至55℃结晶。
- 对照组:无甲酸添加,其他条件相同。

2. 反应机制调控

甲酸通过以下化学反应调控I⁻离子浓度:
1. 抑制氧化:甲酸与溶液中的I₃⁻反应(HCOOH + I₃⁻ → CO₂↑ + 2H⁺ + 3I⁻),减缓I⁻的消耗。
2. 温度依赖动力学:低温(55℃)下反应缓慢,延长亚稳区(metastable region)时间,降低晶体生长速率。

3. 表征与测试

  • 结构分析:X射线衍射(XRD)和摇摆曲线(rocking curve)显示,甲酸组晶体(002)晶面的半高宽(FWHM)仅为0.047°,显著优于对照组。
  • 光学性能:紫外-可见吸收光谱测得带隙为3.64 eV;光致发光(PL)光谱显示440 nm发射峰,斯托克斯位移达100 nm。
  • 闪烁性能:使用²²Na辐射源测试,甲酸组晶体的能量分辨率提升至7.1%(511 keV),绝对光产额(light yield)达39,000 photons/MeV,较对照组(29,000 photons/MeV)显著提高。

主要结果

  1. 晶体质量提升:甲酸组晶体呈现清晰的晶癖面(crystal habit planes),而对照组晶体表面粗糙。
  2. 生长动力学优化:甲酸将亚稳区从47℃扩展至55℃,晶体生长速率降低,最终尺寸达6 mm × 8 mm。
  3. 缺陷减少:时间分辨PL显示甲酸组晶体衰减时间为1381 ns,长于对照组,表明非辐射复合减少。

结论与意义

本研究提出了一种通过甲酸调控反应动力学的晶体生长策略,成功解决了铜基钙钛矿易氧化、生长速率快的问题。其科学价值在于:
1. 方法创新:首次利用甲酸-I₃⁻反应控制I⁻浓度,为溶液法生长高质量晶体提供了新思路。
2. 应用潜力:优化的Cs₃Cu₂I₅单晶在辐射探测中表现出优异的能量分辨率与光产额,有望替代传统闪烁体材料。

研究亮点

  1. 反应控制机制:通过甲酸实现I⁻浓度的动态平衡,突破溶液法晶体质量瓶颈。
  2. 多尺度表征:结合XRD、PL、RL等分析手段,全面验证晶体结构与性能的关联性。
  3. 低温节能工艺:生长温度低于60℃,显著降低能耗,适合规模化制备。

其他发现

温度依赖PL测试揭示了Cs₃Cu₂I₅的自陷激子(self-trapped exciton, STE)行为,激子结合能高达495.5 meV,进一步解释了其高效发光特性。此外,负热猝灭现象(negative thermal quenching)在78–170 K温度区间被观测到,为材料的热稳定性研究提供了新方向。

本研究为铜基钙钛矿的工业化应用奠定了实验基础,同时其反应控制策略可拓展至其他易氧化材料的晶体生长领域。

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