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反系间窜越机制的详细计算研究:倒置单重态-三重态能隙分子

期刊:ACS Appl. Mater. InterfacesDOI:10.1021/acsami.4c04347

这篇文档属于类型a,即报告了一项原创性研究。以下是针对该研究的学术报告:


作者及机构
本研究由Danillo Valverde(现就职于比利时蒙斯大学)、Cher Tian Ser(加拿大多伦多大学)、Gaetano Ricci(比利时那慕尔大学)、Kjell Jorner(瑞典查尔姆斯理工大学/瑞士苏黎世联邦理工学院)、Robert Pollice(荷兰格罗宁根大学)、Alán Aspuru-Guzik(加拿大多伦多大学)和Yoann Olivier(比利时那慕尔大学)共同完成,发表于ACS Applied Materials & Interfaces期刊2024年5月10日的第16卷。


学术背景
本研究属于光物理与计算化学交叉领域,聚焦于反转单重态-三重态能隙材料(inverted singlet-triplet gap materials, INVEST)。传统有机发光二极管(OLEDs)受限于自旋统计瓶颈,单重态激子内量子效率(IQE)仅为25%,而INVEST材料通过单重态(S₁)与三重态(T₁)能级反转,实现放热的反向系间窜越(reverse intersystem crossing, RISC),有望突破这一限制。然而,INVEST材料中激发态间转换的机制尚不明确。本研究选取三种氮掺杂三角烯衍生物(环嗪cyclazine、五嗪pentazine和七嗪heptazine),通过计算模拟揭示其RISC过程的详细机制,为设计高效INVEST发光体提供理论依据。


研究流程
1. 计算方法选择与验证
- 采用两种先进方法:旋转多态完全活性空间二阶微扰理论(RMS-CASPT2)和自旋分量缩放代数图构造法(SCS-ADC(2))。
- 验证SCS-ADC(2)对INVEST材料的适用性,并与高精度RMS-CASPT2对比,发现SCS-ADC(2)虽能定性复现激发态特征,但会系统性高估激发态能量。

  1. 分子轨道与激发态性质分析

    • 对三种分子进行基态和激发态几何优化,分析其单重态(S₁, S₂)和三重态(T₁-T₃)的垂直激发能、振荡强度及能隙(ΔEₛₜ)。
    • 通过密度差图证实S₁和T₁均为短程电荷转移(SRCT)态,电子-空穴重叠弱,导致交换能降低(ΔEₛₜ为-0.08至-0.20 eV)。
  2. 势能面与交叉点搜索

    • 计算单重态-三重态最小能量交叉点(MECP)和锥形交叉(CI)结构。结果显示:
      • ISC(S₁→T₁)和RISC(T₁→S₁)均通过MECP直接发生,活化能分别为0.11-0.58 eV和0.06-0.36 eV。
      • 未发现S₁与高阶三重态(T₂/T₃)的交叉点,表明高阶态不参与转换。
    • 通过测地线插值法(geodesic interpolation)分析MECP的结构变化,发现氮原子数增加(环嗪→七嗪)导致重组能增大。
  3. 自旋轨道耦合(SOC)增强机制

    • 对称性分析表明:D₃h对称性的环嗪和七嗪中,E”振动模式通过Herzberg-Teller(HT)机制增强SOC(室温下SOC值达0.045-0.316 cm⁻¹)。
    • C₂ᵥ对称性的五嗪中,A₂/B₁/B₂模式均贡献SOC,其中A₂模式主导(SOCₓ=0.199 cm⁻¹)。
  4. 内转换与非辐射衰减

    • S₁/S₀的CI能量高达0.4-2.0 eV,表明非辐射衰减速率极慢。
    • 环嗪的反卡莎发射(anti-Kasha emission)源于S₂/S₁ CI的高能垒(1.10 eV),阻碍内转换(IC)。

主要结果
1. 激发态转换路径
- RMS-CASPT2计算显示,三种化合物的RISC均为放热过程(ΔEₛₜ),且仅需克服0.06-0.36 eV能垒。
- SCAS-ADC(2)高估能垒(偏差0.1 eV),但定性结论一致。

  1. 振动耦合效应

    • 七嗪的E”模式(490/733 cm⁻¹)对SOC增强贡献最大,其电子-声子耦合常数比环嗪高一个数量级。
  2. 结构-性能关系

    • 氮原子数增加导致重组能增大(环嗪:0.02 eV→七嗪:0.07 eV),但S₁/T₁能隙反转更显著(七嗪ΔEₛₜ=-0.22 eV)。

结论与价值
1. 科学意义
- 首次系统阐明INVEST材料的RISC机制,证明其通过直接S₁-T₁转换实现高效三重态 harvesting,无需依赖高阶三重态。
- 提出振动耦合增强SOC的普适性策略,为设计高发光量子产率材料提供新思路。

  1. 应用价值
    • 指导开发无重金属、窄发射光谱的INVEST-OLEDs,突破传统热活化延迟荧光(TADF)材料的效率瓶颈。

研究亮点
1. 方法创新
- 结合RMS-CASPT2与SCS-ADC(2),兼顾精度与效率,建立INVEST材料计算研究范式。
- 首次将HT机制应用于INVEST材料的SOC分析,揭示振动模式的对称性选择规则。

  1. 发现创新
    • 证实INVEST材料中S₁-T₁直接转换的普遍性,推翻传统TADF依赖高阶态的观点。
    • 预测五嗪和七嗪的反卡莎发射特性,拓展了INVEST材料的应用场景。

其他价值
- 公开所有计算输入/输出文件(iochem-bd数据库),促进数据可重复性。
- 指出SCS-ADC(2)的局限性,为后续方法开发提供参考。

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