该文档属于类型b（综述论文），以下是生成的学术报告：

作者及机构
本文由Xiaojian Yang与Mingdi Yan（通讯作者）合作完成，两位作者均来自美国马萨诸塞大学洛厄尔分校（University of Massachusetts Lowell）化学系。论文发表于2020年的《Nano Research》期刊（卷13，期3，页码599–610），由清华大学出版社与Springer-Verlag Germany联合出版。

论文主题
本文题为《Removing Contaminants from Transferred CVD Graphene》，系统综述了化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）法制备的石墨烯在转移过程中面临的污染物（尤其是聚合物残留）问题，并分类总结了多种减少或消除污染的方法及其机制。

主要观点与论据

1. CVD石墨烯转移过程中污染问题的来源与影响
石墨烯转移通常需使用聚合物（如聚甲基丙烯酸甲酯，PMMA）作为支撑材料，但PMMA残留会导致石墨烯表面污染。论文指出：
- 污染物类型：残留的PMMA形成1–2 nm厚的非晶碳层（通过拉曼光谱和透射电子显微镜验证）。
- 性能影响：污染物会引入电荷掺杂、扭曲石墨烯晶格，降低载流子迁移率（从10⁴ cm²/(V·s)降至200–2,500 cm²/(V·s)），并阻碍热传导和电子-声子输运。
- 机制分析：PMMA与石墨烯通过π-π相互作用和极性基团（如羟基）结合，且PMMA可能与蚀刻剂（如FeCl₃）反应生成额外污染物。

2. 减少PMMA残留的四大策略
作者将现有方法归纳为四类，并详细分析其原理与局限性：
- 提高PMMA去除效率：
- 热丙酮或其他溶剂：升高温度或使用高沸点溶剂（如氯苯）可增强溶解能力，但无法完全清除残留。
- 双层PMMA法：通过二次涂覆热PMMA溶液松弛聚合物链张力，减少裂纹并提升残留溶解性（参考文献15, 27）。
- PMMA降解：紫外线（UV）、离子束或热处理可降解PMMA为低分子量片段，但可能氧化石墨烯（图5显示UV处理导致拉曼D峰增强）。
- 低分子量PMMA：分子量15,000的PMMA残留最少，但机械强度较低（参考文献39）。

• 替代聚合物辅助转移：
  使用聚苯乙烯（PS）、聚碳酸酯或聚异丁烯等替代PMMA，其与石墨烯相互作用较弱。例如，PS添加增塑剂4,4’-二异丙基联苯（DIPB）可减少裂纹（参考文献55）。

• 无溶剂干法转移：
  采用预成型聚合物薄膜（如热释放胶带TRT或聚二甲基硅氧烷PDMS），通过温差控制粘附力实现剥离。双层的PET/硅胶薄膜可兼顾刚性保护与低残留（图10）。

• 非聚合物支撑材料：
  松香、环己烷或石蜡等小分子材料可通过蒸发或升华去除。例如，环己烷在2°C固化作为临时支撑，升温后自发蒸发（图11）。石蜡的膨胀特性还能消除石墨烯褶皱（图12）。

3. 转移前预处理的重要性
论文强调，CVD生长过程中产生的非晶碳会吸附污染物。两种预处理方法被提出：
- CO₂氧化法：500°C下用CO₂气体氧化非晶碳，显著减少后续PMMA残留（图15）。
- 铜乙酸前驱体法：以Cu(OAc)₂替代烃类前驱体，直接生成高纯度石墨烯（参考文献91）。

论文价值与意义
1. 系统性总结：首次全面分类整理了CVD石墨烯转移污染的解决方案，为后续研究提供方法论参考。
2. 技术指导：对比各类方法的优缺点，指出无溶剂转移和预处理是未来发展方向，尤其适用于对洁净度要求高的器件（如柔性电子和传感器）。
3. 批判性观点：强调现有技术仍无法完全避免污染，需开发兼具高机械强度与易去除特性的新型支撑材料。

亮点
- 多学科交叉：涵盖材料化学、表面科学和器件物理，分析污染物对石墨烯电学、热学性能的影响机制。
- 数据丰富：整合拉曼光谱、XPS、AFM等多种表征手段的结果，支撑理论分析。
- 前瞻性建议：提出“试剂无关转移”（如静电吸附法）可能是实现超净石墨烯的突破点（参考文献24, 88）。