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利用相变材料提高压接式IGBT短时过流能力的研究

期刊:IEEE

这篇文档属于类型a,即报告了一项原创性研究。以下是针对该研究的学术报告:


1. 研究作者与机构

本研究由Chongqing University(重庆大学)State Key Laboratory of Power Transmission Equipment & System Security and New Technology(电力设备及系统安全与新技术国家重点实验室)的团队完成。主要作者包括:
- 1st Gaofeng Hao(高锋浩,通讯邮箱:1571181918@qq.com)
- 2nd Lin Zhou(周林,zhoulin@cqu.edu.cn)
- 3rd Hai Ren(任海,renhai@cqu.edu.cn)等共7位作者。
研究发表于IEEE旗下的会议IPEMC2020-ECCE Asia(2020年第九届国际电力电子与运动控制会议),DOI编号为10.1109/IPEMC-ECCEAsia48364.2020.9367812。


2. 学术背景

研究领域:电力电子器件热管理,聚焦于提升压接式IGBT(Press-Pack IGBT)的短时过电流能力。
研究动机
- 电力电子器件功率密度提升导致散热需求激增,但传统散热设计仅满足常规工况,难以应对瞬态功率冲击(如短路故障时的数百毫秒过电流)。
- 现有方案(如增大散热器或提高冷却功率)因热源与散热器间的热阻存在延迟,芯片温度可能在热量传递前已超过最高结温(150°C),导致器件失效。
目标:通过将相变材料(Phase Change Materials, PCMs)集成至压接式IGBT的钼板中,利用PCM的相变潜热吸收瞬态热量,延缓芯片温升,提升器件抗功率冲击能力。


3. 研究流程与方法

(1)PCM选型与特性分析

  • 选型依据:对比固-液、固-固、固-气相变材料,选择固-液相变材料Vrycul TP-III(相变温度108°C,低于IGBT常规结温120°C;导热系数70 W/m·K,显著高于普通PCM)。
  • 参数验证:通过热力学测试确认其密度(6520 kg/m³)、潜热(118.6 kJ/kg)等关键参数(表Ⅰ)。

(2)有限元建模与仿真

  • 模型构建:使用COMSOL Multiphysics建立压接式IGBT三维模型(图1-3),边界条件设定为:
    • 芯片作为热源,铜柱为导热路径,其余表面绝热。
    • 钼板中集成PCM(填充位置见图4、7、8)。
  • 工况模拟
    • 常规运行:功率损耗90W,验证PCM未相变时对散热无影响(图5)。
    • 功率冲击:损耗突增至450W(持续150ms),对比有无PCM时的结温变化(图6)。

(3)PCM用量优化

  • 计算基础:通过公式(1)计算所需PCM质量(0.456g可完全吸收过剩热量)。
  • 梯度实验:对比0.695g、2g、2.337g PCM的缓冲效果(图9、表Ⅱ),发现PCM用量与温升延迟正相关,但过量(如105g替代钼板)会因PCM导热性低于钼板导致散热恶化(图10)。

4. 主要结果

(1)PCM的瞬态热缓冲效应

  • 常规运行:PCM未达相变温度,结温曲线与无PCM器件重合(图5),证明设计不影响稳态性能。
  • 功率冲击
    • 0.695g PCM:结温峰值162°C(无PCM为174°C),达到150°C的时间延迟至41.5ms(无PCM为33ms)。
    • 2.337g PCM:结温进一步降至156°C,延迟时间延长至52.5ms(表Ⅱ)。

(2)PCM用量的临界效应

  • 正向关系:PCM用量增加可提升热缓冲效果(如2.337g时温降18°C,延迟19.5ms)。
  • 反向极限:完全替代钼板(105g PCM)导致结温163°C,延迟时间缩短至24.5ms(图10),因PCM导热性不足阻碍热量传递。

5. 结论与价值

科学价值
- 首次提出将PCM集成至压接式IGBT钼板的方案,通过缩短PCM与热源距离(毫米级),实现毫秒级热响应,解决了传统PCM散热器因热阻导致的延迟问题。
- 量化了PCM用量与热缓冲效果的非线性关系,为优化设计提供理论依据。

应用价值
- 可应用于柔性高压直流输电、海上风电等需高短时过电流能力的场景,替代昂贵的多器件并联方案。
- 为低频脉冲电源设备、器件保护等特殊工况提供新解决方案。


6. 研究亮点

  1. 创新设计:钼板-PCM复合结构在不增加体积的前提下提升散热效率。
  2. 方法学贡献:结合有限元仿真(COMSOL)与实验验证,建立PCM用量-性能优化模型。
  3. 工程指导意义:明确PCM用量需平衡潜热吸收与导热效率,避免过度使用导致性能下降。

7. 其他有价值内容

  • 资助信息:研究受国家自然科学基金(51477021)、国家重点研发计划(2018YFB0905800)等支持。
  • 扩展应用:作者建议进一步研究PCM在更高功率密度器件(如SiC模块)中的适用性。

(报告总字数:约1500字)

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