这篇文档属于类型b,是一篇关于金刚石增强金属基复合材料(diamond-reinforced metal matrix composites, DRMM)在高效电子器件热管理领域应用的综述论文。以下是详细报告内容:
本文聚焦于宽禁带半导体(如GaN和SiC)驱动的高功率电子器件的热管理挑战。随着电子器件功率密度提升(如GaN-HEMT器件达40 W/mm),传统热管理材料(如钨铜合金)的导热系数(TC, thermal conductivity)不足(~200 W·m⁻¹·K⁻¹),且热膨胀系数(CTE, coefficient of thermal expansion)与半导体材料不匹配,导致热应力问题。金刚石凭借超高TC(1500–2000 W·m⁻¹·K⁻¹)和低CTE(~2.0×10⁻⁶/K)成为理想候选,但直接应用成本高且CTE差异大。因此,金刚石/金属复合材料(DRMM)通过调控金刚石体积分数和金属基体(如Cu、Ag、Al),可兼顾高TC和可控CTE。
核心问题:金属(如Cu、Ag)与金刚石的非反应性界面导致弱结合,ITC低(<50 MW·m⁻²·K⁻¹)。
理论模型:
- 声学失配模型(AMM, acoustic mismatch model):假设界面为平面,声速差异主导声子反射。
- 扩散失配模型(DMM, diffuse mismatch model):假设界面无序,声子密度态决定透射。
- 散射介导声学失配模型(SMAMM, scattering-mediated acoustic mismatch model):结合缺陷与粗糙度,更接近实验值(如金刚石/Al界面ITC实测5.43 vs SMAMM计算4.44)。
实验验证:TDTR(时域热反射法)测得氧终止(O-terminated)金刚石表面ITC(100 MW·m⁻²·K⁻¹)优于氢终止(H-terminated)表面(20 MW·m⁻²·K⁻¹)。
表面特性:
- 晶面差异:立方(100)面活性高于八面体(111)面,易重构为(100)2×1结构。
- 终止基团:氧终止增强界面结合,氢终止降低ITC(接触角81.3° vs 氧终止47.2°)。
石墨化风险:高温(>800°C)下金刚石表面可能转化为石墨或石墨烯(如Fe催化下500°C即可生成单层石墨烯)。
非反应性体系(Cu/Ag):接触角>100°,仅依赖范德华力,需通过表面金属化(如TiC、WC涂层)改善。
反应性体系(Al):形成Al₄C₃(TC~140 W·m⁻¹·K⁻¹),虽提高ITC(230 MW·m⁻²·K⁻¹),但遇水易分解,需抑制其生成。
粉末冶金法(PM):如放电等离子烧结(SPS)、真空热压(VHP),适合高体积分数(>50%),但界面结合弱,TC较低(<400 W·m⁻¹·K⁻¹)。
气体压力浸渗(GPI):强制熔融金属填充金刚石预制体,TC显著提升(Cu基达907 W·m⁻¹·K⁻¹)。
增材制造(AM):激光粉末床熔融(L-PBF)可制备复杂结构散热器,但需解决金刚石石墨化(如控制熔池温度<2000°C)和涂层稳定性问题。
表面金属化:
- 涂层选择:WC(110 nm)使Cu基TC达907 W·m⁻¹·K⁻¹,因其高本征TC(120 W·m⁻¹·K⁻¹)和薄层优势。
- 厚度控制:WC厚度增至500 nm时TC降至500 W·m⁻¹·K⁻¹。
基体合金化:
- Cu中添加0.5 wt% Zr形成ZrC,TC提升至930 W·m⁻¹·K⁻¹。
- Al中添加Si抑制Al₄C₃,TC保持600 W·m⁻¹·K⁻¹以上。
全文通过理论、实验与应用的深度融合,为高性能热管理材料开发提供了系统性指导。