学术研究报告:单配位三线态铋宾(Bismuthinidene)的合成与反应性研究
一、研究团队与发表信息
本研究由德国杜伊斯堡-埃森大学无机化学研究所的Yannick Schulte、Timo Freese、Christoph Wölper、Stephan Schulz*团队与有机化学研究所的Jan Schulte、Gebhard Haberhauer*合作完成,发表于Angewandte Chemie International Edition 2025年卷,文章编号e202508250。
二、学术背景与研究目标
铋宾(Bismuthinidene, RBi)是一类含+1氧化态单配位铋原子的化合物,与碳族卡宾(Tetrylene)等电子,具有六价电子缺电子特性。此类化合物通常反应活性极高、寿命极短,难以分离和表征。尽管近年来通过空间位阻或电子稳定化策略成功分离了部分磷宾(Phosphinidene)和锑宾(Stibinidene),但铋宾的研究仍面临挑战,尤其是其化学反应性尚未系统探索。
本研究旨在通过超大位阻七苯基配体(Ar* = 3,5-i-Pr₂-2,6-(2,6-Me₂-3,5-(2,6-i-Pr₂C₆H₃)₂–C₆H)–C₆H)稳定单配位三线态铋宾(Ar*Bi, 4),并系统研究其与卤代烷的氧化加成反应及后续转化,为低价铋化学提供新见解。
三、研究流程与方法
1. 配体与中间体合成
- Ar*I的合成:通过多步反应(图S1)从商业原料制备七苯基碘化物Ar*I,总产率20%。关键步骤包括芳炔中间体的有机镁/锂试剂逐级加成。
- Ar*Li的制备:Ar*I与t-BuLi在苯中反应生成Ar*Li·Li(t-Bu),产率75%,并通过单晶X射线衍射(SC-XRD)表征。
铋前驱体合成
铋宾(4)的生成与表征
量子化学计算
反应性研究
四、主要结果与逻辑链条
1. 结构表征:SC-XRD证实了4的单配位几何构型,键角(C–Bi–C≈120°)和键长(2.270 Å)与理论计算一致,支持三线态特性。
2. 电子态验证:UV-Vis吸收峰(502 nm和893 nm)与计算跃迁(487 nm和1017–1023 nm)吻合,归属为三线态→单线态跃迁。
3. 反应性突破:4的氧化加成反应拓展了三线态铋宾的化学空间,而单氢化铋(8-13)的稳定性(110°C不分解)为后续氢化反应提供新平台。
五、研究意义
1. 科学价值:首次通过非氢吲达烯配体稳定单配位三线态铋宾,结合实验与理论揭示了其电子结构与反应性。
2. 应用潜力:稳定的单氢化铋可作为温和还原剂或氢转移试剂,在有机合成或材料化学中具有潜在用途。
六、研究亮点
1. 合成创新:通过Ar*配体的空间位阻抑制铋宾二聚,实现其分离。
2. 方法学:结合低温NMR、SC-XRD和多组态计算,全面解析铋宾的电子态。
3. 反应拓展:首次报道铋宾与卤代烷的氧化加成及氢化产物的室温稳定性。
七、其他发现
- 单氢化铋的Bi–H键弱(IR频率低于Ph₂BiH),可能成为新型氢化催化剂。
- 理论预测的ZFS效应为设计磁性材料提供参考。