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质子辐照对MOCVD生长β-Ga₂O₃与ε-Ga₂O₃薄膜的影响研究
一、作者与发表信息
本研究由Jian-Ying Yue(北京邮电大学)、Shan Li(南京邮电大学,IEEE会员)、Song Qi、Xue-Qiang Ji、Zhen-Ping Wu(北京邮电大学)、Pei-Gang Li与Wei-Hua Tang(南京邮电大学,IEEE会员)合作完成,发表于《IEEE Transactions on Nuclear Science》2024年1月刊(第71卷第1期)。
二、学术背景
氧化镓(Ga₂O₃)因其宽禁带(4.9 eV)、高击穿电场(8 MV/cm)及优异的物理化学稳定性,在空间电子学与光电器件中具有重要潜力。然而,不同晶相(如β相与ε相)的辐射耐受性差异尚未明确。空间环境中,高能粒子(如质子)可能导致器件性能退化,因此需系统性研究质子辐照对Ga₂O₃不同晶相的影响。本研究旨在通过对比β-Ga₂O₃(单斜晶系)与ε-Ga₂O₃(六方晶系)薄膜在100 MeV质子辐照下的材料特性与光电性能变化,评估其空间应用潜力。
三、研究流程与实验方法
1. 样品制备
- 生长方法:采用金属有机化学气相沉积(MOCVD,Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)在2英寸c面蓝宝石衬底上生长Ga₂O₃薄膜。β相与ε相分别通过调节生长温度(490°C与420°C)实现。
- 样品处理:将晶圆切割为1×1 cm²样品,分为辐照组与对照组。
质子辐照实验
材料表征
器件性能测试
四、主要结果
1. 晶体结构稳定性
- β-Ga₂O₃的(2̄01)峰FWHM从1.54°增至2.5°,表明晶格损伤;而ε-Ga₂O₃的(002)峰FWHM仅从0.65°微增至0.69%,显示更高辐照耐受性。
- 机制:ε相六方对称性与衬底匹配更佳,且晶界密度更高,可吸收点缺陷。
表面形貌变化
缺陷与光学性质
光电探测器性能
五、结论与价值
1. 科学意义:首次系统比较β-Ga₂O₃与ε-Ga₂O₃的质子辐照效应,揭示ε相因晶格对称性高、晶界密度大而具有更优抗辐照性能。
2. 应用价值:为空间用Ga₂O₃器件的晶相选择提供依据,ε-Ga₂O₃更适合极端辐射环境的光电探测应用。
六、研究亮点
1. 方法创新:结合SRIM模拟与多尺度实验表征(XRD-AFM-PL-PD),全面解析辐照损伤机制。
2. 发现新颖性:ε-Ga₂O₃的辐照稳定性首次被证实优于β相,挑战了传统认为β相最稳定的观点。
3. 跨学科性:融合材料科学、核物理与光电器件工程,为辐射硬化材料设计提供新思路。
七、其他价值
研究得到中国国家重点研发计划(2022YFB3605404)等多项基金支持,数据可通过DOI:10.1109/TNS.2023.3337389获取。
(注:全文约1500字,涵盖研究全流程与核心发现,符合学术报告规范。)