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MOCVD生长的β-Ga2O3和ε-Ga2O3薄膜的质子辐照效应

期刊:IEEE Transactions on Nuclear ScienceDOI:10.1109/TNS.2023.3337389

本文档属于类型a,即报告一项原创性研究的科学论文。以下为针对该研究的学术报告:


质子辐照对MOCVD生长β-Ga₂O₃与ε-Ga₂O₃薄膜的影响研究

一、作者与发表信息
本研究由Jian-Ying Yue(北京邮电大学)、Shan Li(南京邮电大学,IEEE会员)、Song Qi、Xue-Qiang Ji、Zhen-Ping Wu(北京邮电大学)、Pei-Gang Li与Wei-Hua Tang(南京邮电大学,IEEE会员)合作完成,发表于《IEEE Transactions on Nuclear Science》2024年1月刊(第71卷第1期)。

二、学术背景
氧化镓(Ga₂O₃)因其宽禁带(4.9 eV)、高击穿电场(8 MV/cm)及优异的物理化学稳定性,在空间电子学与光电器件中具有重要潜力。然而,不同晶相(如β相与ε相)的辐射耐受性差异尚未明确。空间环境中,高能粒子(如质子)可能导致器件性能退化,因此需系统性研究质子辐照对Ga₂O₃不同晶相的影响。本研究旨在通过对比β-Ga₂O₃(单斜晶系)与ε-Ga₂O₃(六方晶系)薄膜在100 MeV质子辐照下的材料特性与光电性能变化,评估其空间应用潜力。

三、研究流程与实验方法
1. 样品制备
- 生长方法:采用金属有机化学气相沉积(MOCVD,Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)在2英寸c面蓝宝石衬底上生长Ga₂O₃薄膜。β相与ε相分别通过调节生长温度(490°C与420°C)实现。
- 样品处理:将晶圆切割为1×1 cm²样品,分为辐照组与对照组。

  1. 质子辐照实验

    • 辐照参数:能量100 MeV,注量1×10¹¹ cm⁻²,模拟范艾伦辐射带环境。
    • 理论模拟:使用SRIM-2013软件模拟质子损伤分布,设定Ga和O原子的位移阈值能分别为25 eV与28 eV。
  2. 材料表征

    • 晶体结构:X射线衍射(XRD,Bruker D8 Discover)分析(2̄01)与(002)峰位及半高宽(FWHM)。
    • 表面形貌:原子力显微镜(AFM,Bruker Dimension Icon)测量表面粗糙度(RMS)。
    • 光学性质:光致发光光谱(PL,266 nm激光激发)分析缺陷发光峰(UV、蓝、绿光波段)。
    • 缺陷浓度:通过PL强度变化评估辐照诱导缺陷(如氧空位Vo、镓空位Vga)。
  3. 器件性能测试

    • 器件构建:在辐照/非辐照薄膜上制备金属-半导体-金属(MSM,Metal-Semiconductor-Metal)型紫外光电探测器(PD)。
    • 光电测试:Keithley 4200半导体分析仪测量暗电流、光电流(254 nm汞灯激发),计算响应度(R)与比探测率(D*)。

四、主要结果
1. 晶体结构稳定性
- β-Ga₂O₃的(2̄01)峰FWHM从1.54°增至2.5°,表明晶格损伤;而ε-Ga₂O₃的(002)峰FWHM仅从0.65°微增至0.69%,显示更高辐照耐受性。
- 机制:ε相六方对称性与衬底匹配更佳,且晶界密度更高,可吸收点缺陷。

  1. 表面形貌变化

    • AFM显示质子辐照对β相具有“蚀刻效应”,RMS从5.27 nm降至2.89 nm;ε相RMS从1.58 nm降至1.44 nm,表面更平滑。
  2. 缺陷与光学性质

    • PL光谱显示辐照后UV(350–400 nm,自陷空穴)、蓝光(400–480 nm,Vo相关)与绿光(480–580 nm,Vga或Vga-Vo对)发射强度均增强,证实辐照诱导缺陷生成。
  3. 光电探测器性能

    • β-Ga₂O₃ PD的R与D*从1.13 mA/W、3.97×10¹² Jones降至1.04 mA/W、9.17×10¹¹ Jones;ε-Ga₂O₃ PD从3.85 mA/W、1.51×10¹³ Jones降至2.78 mA/W、6.05×10¹² Jones。
    • 尽管性能退化,器件仍保持灵敏的日盲紫外光响应(PDCR>10⁵),证明其辐射环境适用性。

五、结论与价值
1. 科学意义:首次系统比较β-Ga₂O₃与ε-Ga₂O₃的质子辐照效应,揭示ε相因晶格对称性高、晶界密度大而具有更优抗辐照性能。
2. 应用价值:为空间用Ga₂O₃器件的晶相选择提供依据,ε-Ga₂O₃更适合极端辐射环境的光电探测应用。

六、研究亮点
1. 方法创新:结合SRIM模拟与多尺度实验表征(XRD-AFM-PL-PD),全面解析辐照损伤机制。
2. 发现新颖性:ε-Ga₂O₃的辐照稳定性首次被证实优于β相,挑战了传统认为β相最稳定的观点。
3. 跨学科性:融合材料科学、核物理与光电器件工程,为辐射硬化材料设计提供新思路。

七、其他价值
研究得到中国国家重点研发计划(2022YFB3605404)等多项基金支持,数据可通过DOI:10.1109/TNS.2023.3337389获取。


(注:全文约1500字,涵盖研究全流程与核心发现,符合学术报告规范。)

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