学术研究报告:Dual-ADC CMOS图像传感器在单次HDR与3D计算成像中的应用
作者及发表信息
本文由Rahul Gulve(IEEE学生会员)等多位学者合作完成,主要作者来自加拿大多伦多大学(University of Toronto)电气与计算机工程系及计算机科学系,合作单位包括AlphaWave Semi、Stathera Inc.等。研究发表于IEEE Journal of Solid-State Circuits,最早于2022年11月提交,2023年4月定稿,最终于2023年5月正式收录。
本研究属于计算成像(Computational Imaging)与CMOS图像传感器(CIS)设计的交叉领域。近年来,计算成像技术(如智能手机中的多帧合成HDR)因依赖多次拍摄与软件后处理,在动态场景(如快速运动或光照变化)中易产生运动伪影(motion artifact)。现有的高速图像传感器虽能减少伪影,但存在信噪比(SNR)低、功耗高、数据率大等问题。
为此,作者团队提出了一种新型双抽头编码曝光像素(Dual-Tap Coded-Exposure Pixel, CEP)的CMOS图像传感器。其核心目标是:
1. 通过单次曝光实现高动态范围(HDR)成像(>101 dB动态范围),避免传统多帧合成的延迟与伪影。
2. 兼容单次3D结构光成像,通过编程像素曝光代码(“固件”),实现传感器的多功能可配置性。
3. 通过全NMOS数据存储像素(Data-Memory Pixel, DMP)设计,缩小像素尺寸(7 µm间距),提升子曝光速率至39,000次/秒。
(1) 双抽头编码曝光像素(DMP)
- 架构创新:传统CEP需在像素内存储曝光代码,导致PMOS晶体管过多,增大面积与延迟。本研究采用全NMOS设计,通过外部行/列信号(row_load和code)动态控制电荷转移,无需片内存储,像素尺寸缩小至7 µm(比同类设计小3.24倍)。
- 电荷分配:每个像素包含两个电荷收集节点(Tap1和Tap2),通过转移门(TG1/TG2)按代码分配光生电荷,确保无信号损失(对比单抽头设计的电荷丢弃问题)。
- 高速操作:子曝光时间低至25.6 µs(对应39 kHz子曝光率),支持每帧900次子曝光(30 fps时)。
(2) 双模ADC读出
- ADC1:16位Σ-Δ调制器,用于帧结束后高精度数字化像素电压(100 fps,功耗107 mW)。
- ADC2:1位强臂比较器(StrongARM Comparator),在子曝光期间实时比较像素电压与参考电压,生成二进制反馈信号,用于动态调整曝光代码。
通过65 nm CMOS工艺的掩码生成IC(集成RISC-V处理器、哈夫曼解压引擎等),支持三类曝光代码生成:
- 简单模式:扫描线、滑动窗口、伪随机码。
- 解析模式:通过算法生成(如同心圆图案)。
- 复杂模式:基于哈夫曼压缩的预编程掩码(如镜头畸变补偿)。
(1) 单次自适应HDR成像
- 原理:结合ADC1(高精度)与ADC2(高速反馈),动态调整像素曝光时间。当某像素电压达到90%饱和值时,ADC2输出代码将其电荷切换到Tap2,避免饱和。
- 结果:动态范围扩展57 dB(原生44 dB→101 dB),无SNR骤降(图13)。图12展示了亮暗分区场景下单次曝光的HDR重建效果。
(2) 单次3D结构光成像
- 方法:在4个子曝光内投射4种优化后的Bayer式照明图案(通过光学随机梯度下降法优化),利用双抽头分离信号。
- 结果:相比传统解析图案,优化图案显著提升深度图精度(图14)。
性能参数
科学价值
应用前景
此项研究为计算成像提供了高性能硬件平台,其设计方法论(如动态曝光控制、算法-硬件协同)可能启发新一代智能视觉传感器的发展。