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28纳米CMOS技术中的跨阻放大器设计

期刊:ieee solid-state circuits magazineDOI:10.1109/mssc.2022.3219682

本文档属于类型a,是一篇关于高速跨阻放大器(Transimpedance Amplifier, TIA)设计的原创性研究论文。以下为针对中文读者的学术报告:


作者与发表信息

本文由Behzad Razavi(加州大学洛杉矶分校,UCLA)撰写,发表于IEEE Solid-State Circuits Magazine 2023年冬季刊。论文标题为《The Design of a Transimpedance Amplifier》,聚焦于28纳米CMOS工艺下40 Gb/s光通信接收器前端TIA的设计与优化。


学术背景

研究领域:高速模拟集成电路设计,光通信接收器前端。
研究动机:光通信系统中,TIA需将光电二极管(Photodiode, PD)产生的微弱电流转换为电压信号,其性能(增益、噪声、带宽)直接影响接收灵敏度与误码率(Bit Error Rate, BER)。现有TIA设计面临带宽(Bandwidth, BW)与噪声的刚性权衡(如共栅极结构噪声过高),且低电压设计(0.95 V电源)进一步加剧挑战。
研究目标:设计一款满足以下指标的TIA:
- 数据速率:40 Gb/s(NRZ编码)
- 输入参考噪声电流:≤10 pA/√Hz
- 跨阻增益:1 kΩ
- 功耗:≤5 mW


研究流程与方法

1. 设计需求分析

  • 带宽选择:NRZ信号的88%功率集中于0.7×Rb(Rb=40 GHz)频段,故目标带宽设为28 GHz。但噪声与带宽正相关,需权衡后选择20 GHz(0.5×Rb)。
  • 噪声计算:为满足BER≤10⁻¹²,输入噪声电流需≤1.8 aA(均方根值),推导出噪声谱密度需≤10 pA/√Hz。
  • 输入电容限制:光电二极管与封装寄生电容(CPD+CPAD≈50 fF)与TIA输入电容(CTIA≈25 fF)共同制约输入阻抗(Rin≤106 Ω)。

2. 拓扑结构探索

  • 共栅极(CG)TIA淘汰
    • 噪声分析显示,即使优化偏置(ID1=1 mA, VGS1-VTH=200 mV),其输入参考噪声仍达13 pA/√Hz,超出目标。
    • 输入电容(Cin)会进一步恶化高频噪声。
  • 反馈型(Feedback)TIA选定
    • 采用电阻反馈(RF)结构,输入阻抗Rin=RF/(1+A),A为放大器增益。
    • 噪声优势:RF无直流电流,其热噪声(4kT/RF)可通过增大RF降低,同时放大器噪声(vn,a²)贡献较小。

3. 电路实现与优化

  • 初步设计(图9)
    • 核心结构:共源级(CS)放大器(M1)驱动差分对(M2-M3),反馈电阻RF=1 kΩ。
    • 偏置设计:VB=300 mV,ID1=0.65 mA,环路增益3.9。
    • 仿真结果
    • 跨阻增益800 Ω(未达1 kΩ目标),带宽19 GHz。
    • 输入阻抗46 Ω(低频),噪声9.7 pA/√Hz。
    • 眼图显示20 mV输出摆幅(25 μA输入电流)。
  • 完整设计(图13)
    • 改进点:引入尾电流源(M4)与偏置电阻(RB),优化输出负载。
    • 性能变化:带宽降至17 GHz,噪声8.7 pA/√Hz,眼图因带宽下降略有闭合。

4. 关键问题与解决

  • 直流耦合挑战:长连“1”序列导致信号下垂(Droop),需避免交流耦合。
  • 带宽提升尝试:电感峰化(Peaking)因所需电感值(数nH)引入寄生电容,反致性能下降。

主要结果与逻辑关联

  1. 噪声达标:通过反馈结构将噪声压至8.7 pA/√Hz(接近10 pA/√Hz目标),验证了RF主导噪声的理论。
  2. 带宽矛盾:实测带宽17 GHz(低于28 GHz理想值),但通过二阶系统特性(极点分离)部分补偿输入电容影响。
  3. 增益不足:实际增益800 Ω(目标1 kΩ),需后续优化放大器增益A或RF值。
  4. 眼图验证:20 mV输出摆幅证明TIA可检测25 μA光电流,但带宽限制导致眼图部分闭合。

结论与价值

科学价值
- 提出了一种低噪声反馈型TIA结构,在0.95 V超低电压下实现接近目标的噪声性能。
- 揭示了带宽-噪声权衡的物理本质(输入电容与环路增益的相互作用)。
应用价值
- 为40 Gb/s光接收器提供了一种低功耗TIA设计方案,尤其适用于低电压CMOS工艺。
- 指出了直流耦合与电感峰化在高速设计中的局限性,为后续研究提供方向。


研究亮点

  1. 创新拓扑:结合CS放大器与差分对的反馈结构,避免CG TIA的噪声缺陷。
  2. 低电压设计:在0.95 V电源下实现功能,适应先进工艺的电压缩放趋势。
  3. 系统级分析:从BER需求反向推导噪声指标,体现设计方法论严谨性。

其他价值内容

  • 工艺角仿真:在慢-慢工艺角(SS Corner)、75°C高温、0.95 V最低电源下验证鲁棒性。
  • 参考文献对比:引用多篇TIA设计文献(如[1][3][4]),凸显本工作在噪声与带宽平衡上的改进。

(全文约2000字)

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