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柔性基底上外延MgZnO薄膜的研究及其接近同质外延质量

期刊:applied surface scienceDOI:10.1016/j.apsusc.2024.159439

本文档属于类型a:单篇原创研究的学术报告。以下是针对《Applied Surface Science》期刊2024年发表的关于柔性氟金云母(f-mica)衬底上外延生长MgZnO薄膜研究的详细报告:

作者及机构

研究由Shanshan Chen(浙江大学硅材料国家重点实验室/广东工业大学材料与能源学院)、Ning WangYao Wang等共同完成,通讯作者为Xinhua PanZhizhen Ye(浙江大学温州研究院)。论文发表于Applied Surface Science 653 (2024) 159439,2024年1月17日在线发布。


学术背景

研究领域:宽禁带半导体MgZnO薄膜的柔性外延生长与光电性能调控。
研究动机:传统刚性衬底(如蓝宝石)上的MgZnO薄膜存在晶格失配导致的缺陷问题,而柔性衬底f-mica此前已被证实可高质量外延生长ZnO薄膜。本研究旨在探索f-mica上MgZnO薄膜的生长机制,推动柔性ZnO量子阱结构及器件发展。
科学问题:Mg组分波动(compositional fluctuations)对薄膜晶体质量、光学性能及生长动力学的影响机制。
研究目标:实现接近同质外延质量的柔性MgZnO薄膜,揭示组分波动对生长过程的动态与热力学作用。


研究流程与方法

1. 薄膜制备

  • 衬底处理:f-mica通过机械剥离获得新鲜表面,经丙酮、乙醇、去离子水超声清洗,并在300°C退火8小时去除吸附物,最终在800°C高温修复晶格。
  • 两步外延生长
    • ZnO成核层:500°C下等离子辅助分子束外延(PAMBE)生长15分钟,Zn源温度275°C。
    • MgZnO主体层:700°C生长3小时,Mg组分(4.04%~31.6%)通过调节Mg源温度(320–350°C)控制,氧等离子体功率固定为300 W。
  • 后处理:750°C退火5分钟,缓冷(10°C/min)以减少应力。

2. 表征技术

  • 结构分析
    • 高分辨X射线衍射(HRXRD):测定外延取向([0001]MgZnO∥[001]f-mica)及晶格参数变化。
    • 原子力显微镜(AFM)与反射高能电子衍射(RHEED):观察表面形貌与生长模式转变(从平滑到六边形凹坑)。
  • 光学性能
    • 紫外-可见吸收光谱:计算带隙(3.311–3.855 eV)及Urbach能量(反映带尾态密度)。
    • 室温荧光光谱(PL):分析近带边发射(NBE)与深能级发射(DLE)强度比,评估非辐射复合缺陷。
  • 缺陷定量:通过HRXRD摇摆曲线计算螺位错与刃位错密度。

3. 创新方法

  • 柔性衬底应力释放机制:利用f-mica的层状结构缓解MgZnO的晶格畸变,首次实现Mg含量高达31.6%的纯六方相外延。
  • 组分波动定量分析:结合X射线光电子能谱(XPS)与带尾态研究,建立Mg局部富集与缺陷关联模型。

主要结果

1. 晶体质量与组分调控

  • 单相六方结构:HRXRD仅检测到(0002)和(0004)峰,无立方相混入(图1a)。Mg含量增加使(0002)峰向高角度偏移,证实c轴压缩(Bragg定律)。
  • 位错密度:Mg>15%时,刃位错密度从5.45×10^9 cm^-2升至1.59×10^10 cm^-2(表2),源于组分波动导致的晶粒取向分歧。

2. 光学性能与缺陷机制

  • 带隙调控:PL显示NBE峰从3.307 eV(ZnO)蓝移至3.636 eV(Mg0.316Zn0.684O),与吸收边变化一致(图2f, 3b)。
  • 缺陷演化
    • Urbach能量:Mg>15%时从72 meV陡增至189.4 meV,表明带尾态主要由组分波动主导(图3b)。
    • DLE/NBE比值:Mg=15.3%时达9.036(纯ZnO为0.256),证明点缺陷随Mg含量非线性增加(图4d)。

3. 生长动力学影响

  • 表面粗糙度:Mg≤10%时RMS nm,Mg=31.6%时增至9.19 nm(图6),AFM显示六边形凹坑(图5e)。
  • 生长速率:从1.35 nm/min(ZnO)降至0.86 nm/min(Mg0.316Zn0.684O),归因于Mg-O键能高于Zn-O(图6)。

结论与价值

科学意义
1. 揭示了f-mica上MgZnO外延的组分波动阈值(~15%),为柔性量子阱设计提供临界参数。
2. 提出“局部Mg富集→晶格应变→位错/点缺陷”的链式反应机制,深化了对合金外延缺陷起源的理解。

应用价值
- 柔性光电器件:高质量MgZnO(Mg<15%)可作为柔性紫外LED/探测器的势垒层。
- 能带工程指导:精确控制生长速率与厚度,优化MgZnO/ZnO多量子阱的界面锐度与极化电场。


研究亮点

  1. 柔性外延突破:首次在f-mica上实现接近同质外延质量的MgZnO薄膜(PL半峰宽优于蓝宝石衬底)。
  2. 多尺度表征:联合HRXRD、PL、AFM揭示组分波动对晶体质量、光学性能及形貌的跨尺度影响。
  3. 生长动力学创新:发现Mg浓度与生长速率的非线性关系,为柔性外延工艺提供调控依据。

其他价值

  • 数据可重复性:所有样品均通过标准化PAMBE流程制备,参数详见表1。
  • 开放共享:作者声明数据可依据请求提供,支持后续研究验证。

(注:文中所有实验细节及数据均引自原文,未添加外部信息。)

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