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自切弛张振荡器与自适应电源生成技术

期刊:2012 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers

类型a

Mediatek Inc.研究人员Keng-Jan Hsiao在2012年IEEE Symposium on VLSI Circuits上发表的论文

作者与发表信息
本研究的通讯作者为Keng-Jan Hsiao,所属机构为联发科技股份有限公司(Mediatek Inc.),论文发表于2012年IEEE Symposium on VLSI Circuits会议,标题为《A 32.4 ppm/°C 3.2-1.6V Self-Chopped Relaxation Oscillator with Adaptive Supply Generation》。

学术背景
本研究属于集成电路设计领域,聚焦于片上振荡器(on-chip oscillator)的频率稳定性优化问题。在低成本单芯片系统中,外部晶体振荡器(external-XO)的替代需求迫切,但传统设计面临温度与电源电压变化导致的频率漂移挑战。现有技术如[1]的宽电源范围振荡器温度稳定性不足,[2][3]的温度补偿方案则受限于窄电源范围,而[4]的跟踪环路需高精度带隙基准(BGR),成本高昂。本研究旨在开发一种兼顾宽电源范围(1.6-3.2V)与高温度稳定性(-20至100°C)的自斩波弛张振荡器(self-chopped relaxation oscillator),并引入自适应电源生成技术以降低设计复杂度。

研究流程与方法
1. 架构设计(图1)
- 核心模块:采用恒定跨导(constant-gm)偏置电路提供偏置电流Ib,电流模式比较器(current-mode comparator)[5]比较参考电压Vr与金属-金属(MOM)电容Cc的电压Vc。
- 频率公式:振荡频率由电阻Rc、充电电流Ic、偏置电流Ir及比较器延迟τ决定(公式1)。温度稳定性主要受电阻变化影响,因Ic/Ir比值与MOM电容温度特性稳定。
- 自斩波技术:通过开关(SW)周期性交换MOS管M0/M1的连接(图2),抵消输入失调电压Vos引起的频率漂移(公式2)。同时利用P型多晶硅电阻(Rp)与N型多晶硅电阻(Rn)的相反温度系数进一步稳定电阻值。

  1. 自适应电源生成(图3)

    • 阈值跟踪环路:通过LD0生成参考电压Vbs,其值由恒定电流Ibs偏置的 dummy inverter(M2/M3a/M3b)产生,栅极以Vbn偏置使Vbs动态跟踪Vbn,确保比较器在临界区域的线性工作。
    • 时钟缓冲器优化:采用并联-串联反馈环路调节反相器工作点,使其转换阈值接近Vbn,从而保证时钟信号(vout)的稳定性。
  2. 时钟生成电路(图4)

    • 复位信号vrst经延迟单元触发D触发器,生成二分频时钟后通过电平转换器(level shifter)与非重叠时钟发生器(non-overlapped clock generator)产生自斩波时钟对vchp/vchpb。

实验结果
1. 电源稳定性:在1.6-3.2V电源范围内,频率漂移<±0.1%(图5a)。
2. 温度稳定性:启用自斩波后,-20至100°C温度区间的频率漂移从±0.6%降至±0.1%(图5b),等效平均漂移32.4 ppm/°C,改善幅度达83%。
3. 性能对比(图6):本设计在温度稳定性与电源范围上均优于文献[1]-[4],且无需高精度BGR电路。
4. 芯片实现:采用60nm CMOS工艺,核心面积0.048 mm²,在1.6V电源下功耗仅2.8μA(图7)。

结论与价值
1. 科学价值:提出自斩波技术与自适应电源生成的协同设计方法,首次实现宽电源范围与高温度稳定性的统一,为低功耗时钟源设计提供新范式。
2. 应用价值:适用于电池供电的物联网设备,延长续航时间;小型化面积与低功耗特性契合可穿戴设备需求。

创新亮点
1. 自斩波技术:通过动态抵消MOS失配效应,将温度漂移降低83%。
2. 混合电阻补偿:结合Rp与Rn的互补温度系数,优化电阻稳定性。
3. 自适应电源:以简易LD0替代复杂BGR,降低成本的同时保证性能。

其他价值
- 论文提供了完整的时序分析(图2)与电路细节(图1/3/4),可作为弛张振荡器设计的工程参考。实验数据中明确的ppm级漂移指标对高精度应用具有指导意义。

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