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紫外选择性雪崩光电二极管的研究

期刊:sensors and actuatorsDOI:10.1016/S0924-4247(99)00326-X

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紫外选择性雪崩光电二极管的研究报告

1. 作者与发表信息

本研究由A. Pauchard(第一作者)、P.-A. BesseM. BartekR.F. WolffenbuttelR.S. Popovic合作完成。作者团队分别来自瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)微系统研究所荷兰代尔夫特理工大学电子仪器实验室。论文标题为《Ultraviolet-selective avalanche photodiode》,发表于2000年的期刊《Sensors and Actuators》第82卷,页码128–134。

2. 学术背景

研究领域:本研究属于半导体光电器件领域,聚焦于紫外(UV)波段的探测技术。
研究动机:紫外探测在火焰检测、闪烁体探测器等应用中需求迫切,但传统紫外探测器(如气体放电管)存在体积大、成本高、需高压偏置等问题。而硅基紫外光电二极管(photodiode)在雪崩模式(avalanche mode)下虽能提升灵敏度,却缺乏紫外选择性(即对可见光/近红外光的高抑制能力)。
科学目标:设计一种兼具高紫外选择性低噪声雪崩增益的新型雪崩光电二极管(APD),并揭示其光倍增增益(photmultiplication gain)在紫外波段的独特现象。

3. 研究流程与方法

3.1 器件设计

研究团队提出了一种新型结构(UVS APD),通过以下设计解决传统APD与紫外选择性器件的矛盾:
- 浅结与高掺杂:采用低能硼注入形成浅p+-n结(深度140 nm),并在n型外延层(n-epi,厚度1.2 μm)中掺杂砷(5×10¹⁶ cm⁻³),以限制耗尽层深度并降低击穿电压(15 V)。
- 势垒调控:通过n-epi与p衬底之间的短路结,形成深度为800 nm的势垒(potential barrier),阻止长波长光生空穴进入倍增区。
- 边缘优化:采用八边形结构(图4)和磷注入的n型层,避免边缘击穿(edge breakdown),确保增益均匀性(非均匀性%,图9)。

3.2 制备工艺

器件在荷兰代尔夫特微电子与亚微米技术研究所(DIMES)制备,关键步骤包括:
- 低能硼注入与快速热退火(RTA)激活,形成p+阳极。
- 掺杂多晶硅层实现无尖刺(spiking-free)的金属接触。
- 二次离子质谱(SIMS)验证掺杂剖面(图3),确认结深与浓度符合设计。

3.3 光学与电学测试
  • 光谱响应:对比商用紫外增强光电二极管(Hamamatsu S1226-18BQ),测量了器件在零偏压和雪崩模式(Vᵣ=−14.5 V)下的响应度(responsivity)。紫外波段(380 nm)响应度达5.3 A/W,选择性(380 nm/1 μm响应比)>80(图6)。
  • 增益特性:首次观察到紫外波段光倍增增益(mₚₕ=50)显著高于可见光/近红外波段(mₚₕ=20,图8),归因于紫外光生电子在倍增区的纯电子注入(electron injection)。
  • 噪声分析:在mₚₕ=20时,测得过剩噪声因子(excess noise factor)F=2.8,噪声等效功率(NEP)为1×10⁻¹¹ W/√Hz,与传统APD相当。

4. 主要结果

  1. 紫外选择性机制:势垒与波长依赖增益的协同作用(图5)使器件在380 nm处响应峰值,并抑制长波长噪声。
  2. 增益非均匀性:激光扫描测试(图9)证实器件增益空间分布均匀,无微等离子体(microplasma)效应。
  3. 电学性能:击穿电压V_bd=−15.1 V,温度系数10 mV/°C;暗电流150 nA(1 mm²面积,20°C),受限于高掺杂导致的隧穿电流(tunneling current)。

5. 结论与价值

科学意义
- 首次揭示了紫外波段光倍增增益增强现象,为硅基APD的波长选择性设计提供了新思路。
- 通过浅结与势垒的协同设计,实现了紫外选择性(>80)与雪崩增益(mₚₕ=50)的兼容。

应用价值
- 适用于火焰探测、闪烁体检测等需高紫外信噪比的场景,无需额外光学滤光片。
- 器件工艺与硅基技术兼容,具备产业化潜力。

6. 研究亮点

  • 创新结构:首次结合浅结势垒与雪崩倍增,解决了传统APD紫外选择性不足的难题。
  • 新发现:首次报道紫外波段光倍增增益高于可见光/近红外的现象,并提出了电子注入机制的解释。
  • 性能优势:在保持低噪声(F=2.8)的同时,实现了高选择性(>80)与高响应度(5.3 A/W)。

7. 其他价值

  • 论文提出的边缘结构优化(八边形设计)和掺杂剖面控制方法,为其他高性能APD设计提供了参考。
  • 研究得到了瑞士MINAST计划的资助,体现了产学研结合的价值。

该报告全面覆盖了研究的背景、方法、结果与意义,突出了其创新性和应用潜力,适合向学术界和工业界读者介绍这一突破性工作。

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