分享自:

基于MoTe2/Ta:β-Ga2O3 PN结的超高整流比和光响应率的日盲光电探测器

期刊:materials today physicsDOI:10.1016/j.mtphys.2023.101042

这篇文档属于类型a,即报告了一项原创性研究。以下是基于文档内容生成的学术报告:

主要作者及机构
本研究的作者包括Guang Zeng、Meng-Ru Zhang、Yu-Chang Chen、Xiao-Xi Li、Ding-Bo Chen、Cai-Yu Shi、Xue-Feng Zhao、Na Chen、Ting-Yun Wang、David Wei Zhang和Hong-Liang Lu。研究团队来自复旦大学微电子学院、上海智能电子与系统研究所、复旦大学集成电路与系统国家重点实验室、上海大学特种光纤与光接入网重点实验室等机构。该研究于2023年3月15日发表在期刊《Materials Today Physics》上,论文标题为《A solar-blind photodetector with ultrahigh rectification ratio and photoresponsivity based on the MoTe2/Ta:β-Ga2O3 pn junction》。

学术背景
本研究属于光电材料与器件领域,重点研究太阳能盲区光电探测器(solar-blind photodetector)。太阳能盲区光电探测器能够将深紫外光(deep ultraviolet, DUV)直接转换为电信号,在军事、医疗和工业检测等领域具有重要应用价值。近年来,高性能太阳能盲区光电探测器的研究受到广泛关注,但其性能仍存在暗电流大、响应速度慢等问题。本研究旨在通过构建基于MoTe2/Ta:β-Ga2O3 pn结的光电探测器,解决上述问题,并探索其在紫外成像、环境监测等领域的应用潜力。

研究流程
研究流程主要包括器件制备、性能表征和数据分析三个部分。
1. 器件制备:首先,从0.05 mol% Ta掺杂的β-Ga2O3单晶上机械剥离β-Ga2O3薄片,并将其转移到标记的Si/SiO2基底上。随后,通过电子束光刻(electron beam lithography, EBL)和电子束蒸发(electron beam evaporation, EBE)技术制备Ti/Al/Ni/Au电极,并通过剥离工艺完成电极图案化。接着,将p型MoTe2薄膜机械剥离并转移到Ta:β-Ga2O3上形成pn结,最后制备Pt电极并完成器件组装。
2. 性能表征:使用光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱对器件形貌和材料特性进行表征。通过半导体参数分析仪(Agilent B1500)测量器件的电流-电压(I-V)特性,并使用254 nm氘灯和可调谐氙灯研究器件在不同光功率密度(P0)和波长(λ)下的光电响应性能。
3. 数据分析:通过计算器件的整流比、响应度(R)、探测率(D*)和外量子效率(EQE)等参数,评估器件性能。此外,还研究了器件在自供电模式下的光电特性,并分析了其能量带结构和光电物理行为。

主要结果
1. 器件性能:MoTe2/Ta:β-Ga2O3 pn结光电探测器在1.5 V正向偏压和254 nm紫外光照下,表现出超高的整流比(~1.0 × 10^7)、响应度(R ~358.9 A/W)、探测率(D* ~3.1 × 10^12 Jones)和外量子效率(EQE ~1.76 × 10^5%),并具有快速的响应时间(21.184.5 ms)和高抑制比(~1.1 × 10^3)。
2. 自供电模式:在零偏压下,器件表现出极低的暗电流(8.5 fA)和较高的响应度(9.2 mA/W),显示出在自供电模式下的优异性能。
3. 光谱选择性:器件在260 nm处表现出最大的光电流和响应度,表明其对太阳能盲区紫外信号具有极高的探测能力。
4. 物理机制:研究通过分析能量带结构,揭示了MoTe2/Ta:β-Ga2O3 pn结中光生载流子的快速分离机制,解释了器件优异光电性能的来源。

结论
本研究成功制备了一种基于MoTe2/Ta:β-Ga2O3 pn结的高性能太阳能盲区光电探测器。该器件在正向偏压和自供电模式下均表现出优异的光电性能,为解决现有太阳能盲区光电探测器的性能瓶颈提供了新思路。研究结果不仅具有重要的科学价值,还为紫外成像、环境监测和不安全通信等领域的应用提供了潜在解决方案。

研究亮点
1. 创新性器件结构:通过结合二维MoTe2和准二维Ta:β-Ga2O3,构建了混合维度pn结光电探测器,实现了高效的光生载流子分离。
2. 优异性能:器件在整流比、响应度、探测率和外量子效率等方面均达到了国际领先水平。
3. 自供电模式:器件在零偏压下表现出极低的暗电流和较高的响应度,展示了其在低功耗应用中的潜力。
4. 物理机制研究:通过深入分析能量带结构和光电物理行为,揭示了器件优异性能的内在机制,为后续研究提供了理论指导。

其他价值
本研究不仅为高性能太阳能盲区光电探测器的设计和制备提供了新方法,还为二维材料与宽禁带半导体异质结的研究开辟了新方向。此外,研究中所采用的机械剥离和干转移技术为其他异质结器件的制备提供了参考。

上述解读依据用户上传的学术文献,如有不准确或可能侵权之处请联系本站站长:admin@fmread.com