本研究由Mehmet Ozdogan、Shahrzad Towfighian和Ronald N. Miles合作完成,三位作者均来自美国纽约州立大学宾汉姆顿分校机械工程系。该研究以论文形式发表在2019年的IEEE学术会议上,论文标题为《Fabrication and Experimental Characterization of a MEMS Microphone Using Electrostatic Levitation》。
本研究属于微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS)领域,聚焦于声学传感器的创新设计。随着物联网(Internet of Things, IoT)技术的发展,数十亿传感器被嵌入日常电子设备中,其中麦克风作为将声压波转换为电信号的关键元件,市场需求持续增长。当前市场上主要有两种麦克风技术:传统驻极体电容麦克风(Electret Condenser Microphones, ECM)和MEMS麦克风。相比ECM,MEMS麦克风具有体积小、信噪比高、功耗低和易于集成等优势。
传统电容式MEMS麦克风存在”吸合失效”(pull-in instability)问题,即当偏置电压超过临界值时,振膜会因静电吸引力过大而坍塌到背板上。这一现象严重限制了偏置电压的提高,进而制约了麦克风灵敏度的提升。本研究团队提出了一种创新的静电悬浮(electrostatic levitation)传感方案,通过特殊的电极配置使传感电极在施加偏置电压时产生”悬浮”效应而非传统设计中的”吸合”效应,从而彻底避免了吸合失效问题。
研究团队设计了一种基于静电排斥力的MEMS麦克风结构。该设计包含: - 连接在薄振膜上的活动指状电极 - 由短悬臂梁支撑的振膜结构 - 位于活动指状电极下方的接地和偏置固定指状电极
其工作原理在于:由于活动指状电极上表面的电场强度高于下表面,会产生向上的净静电排斥力,使振膜产生静态位移。这种设计不仅避免了吸合失效,还通过增加初始间隙为振膜提供了更大的振动空间。
器件在康奈尔纳米尺度设施(Cornell Nanoscale Facility, CNF)采用四掩模步进光刻技术制造,主要工艺流程包括: 1. 在4英寸N型硅片上生长1μm厚的热氧化层作为绝缘层 2. 沉积0.2μm厚的低应力LPCVD氮化硅层 3. 沉积2μm厚的磷掺杂非晶硅层,经5小时退火形成多晶硅 4. 通过Bosch刻蚀工艺形成多晶硅固定指状电极 5. 沉积4μm厚的高温氧化物(HTO)作为牺牲层 6. 使用化学机械抛光(CMP)平坦化约一半的氧化物层 7. 采用ICP-RIE刻蚀形成结构多晶硅层之间的通孔 8. 沉积第二层2μm厚的磷掺杂多晶硅形成活动指状电极和振膜 9. 背面深反应离子刻蚀(DRIE)释放结构 10. HF:HCl溶液释放后,进行临界点干燥(CPD)防止粘连
在宾汉姆顿大学的消声室中,研究团队搭建了完整的测试系统: 1. 采用电荷放大器读出电路(含OPA 657运算放大器、1pF电容和10GΩ反馈电阻) 2. 使用Bruel & Kjaer 4138参考麦克风测量入射声压 3. 通过NI PXI-1033数据采集系统获取输入/输出信号 4. 测试频率范围为100Hz-20kHz纯音信号 5. 偏置电压测试范围为40V至100V
实验数据显示: 1. 在40V至100V的偏置电压范围内,麦克风灵敏度随偏置电压增加呈近似线性增长 2. 与传统电容式麦克风不同,该设计在高压下未出现吸合失效现象 3. 静电悬浮机制有效增加了振膜与固定电极之间的初始间隙 4. 振膜的机械响应未受到高偏置电压的不利影响
这些结果验证了静电悬浮概念在MEMS麦克风设计中的可行性,表明通过提高偏置电压来增强灵敏度而不引发吸合失效是可行的。
本研究成功设计并制造了一种基于静电悬浮原理的新型MEMS麦克风,其主要创新点和价值包括: 1. 科学价值: - 首次在MEMS麦克风中实现了静电悬浮传感机制 - 为静电传感器设计提供了避免吸合失效的新思路 - 建立了高偏置电压下稳定工作的电容式传感器设计范式
技术价值:
应用价值:
这项研究不仅为MEMS麦克风设计带来了创新突破,其静电悬浮概念还可推广应用于其他类型的静电传感器和致动器,具有广泛的科研和应用前景。