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通过表面处理与电极更换提升CsPbBr3辐射探测器的高电压稳定性

期刊:IEEE Electron Device LettersDOI:10.1109/LED.2023.3311473

学术报告

一、研究背景与发表信息

本文的研究标题为《Enhancing High-Voltage Stability of CsPbBr3 Radiation Detectors through Surface Treatment and Electrode Replacement》,由Tong Jin等多名研究者完成,研究机构为武汉光电国家研究中心和华中科技大学光电信息学院。这篇研究发表于2023年10月的《IEEE Electron Device Letters》(Vol. 44, No. 10)。文章主要探讨提高CsPbBr3(碘化铅钙钛矿)半导体单晶材料用作辐射探测器时在高电压条件下的稳定性问题,提出了通过表面处理和电极替换来改进器件性能的方法。

二、研究背景与目的

半导体辐射探测器被广泛应用于国家安全、工业检测、生物医学研究以及深空探测等领域,主要用于对高能X射线和γ射线光子的探测。然而,目前大部分铅卤化物钙钛矿探测器在室温和高偏压条件下无法保持稳定性,表现出严重的电流波动和基线噪声的增加。其原因与表面离子迁移和电极化学反应密切相关。为解决这一问题,本文提出了通过表面抛光与钝化抑制表面离子迁移,并用惰性碳电极替代金属阳极电极的策略,旨在提高CsPbBr3基探测器在高电压条件下的稳定性。

三、研究方法与过程

  1. 样品制备

    • 研究使用的CsPbBr3单晶通过布里奇曼法(Bridgman Method)制备。采用石英坩埚在1.05K cm⁻¹的温度梯度下以0.40 mm h⁻¹的速度下降。
    • 在冷却过程中,样品分阶段降温,后续使用0.125 mm的金刚石切割线切片,得到8 mm直径和1.5 mm厚度的圆柱样品。
    • 为改善表面质量,使用逐渐减小孔径的砂纸和乙醇进行研磨,随后用羊毛布和湿抛光布对表面进行抛光。光学显微镜表明,抛光后的晶体表面更为平滑,无明显划痕。
  2. 表面钝化处理

    • 使用含有0.1 mg/mL PEABr(苯乙胺溴化物)异丙醇溶液,通过旋涂法对抛光表面进行钝化。这种方法在钙钛矿光伏领域已经得到广泛验证,能够有效地减少表面缺陷态,从而抑制离子迁移并提升器件的稳定性。
    • 光致发光(Photoluminescence, PL)光谱和吸收光谱显示,钝化后晶体的PL强度在548 nm显著增加,表明表面钝化有效。
  3. 电极替换

    • 为解决金属电极(如Au)与卤化离子反应导致的不稳定性问题,作者设计了一种新的碳电极制备方法。
    • 制备的碳膏由石墨和聚乙酸乙烯酯按1:1的比例混合分散在乙酸乙酯溶液中,经过球磨12小时。然后将碳膏涂到聚四氟乙烯片上,如温热加压将其附着于CsPbBr3晶体表面,最终形成碳电极。
  4. 实验测试与参数获取

    • 实验分别使用Au-CSPbBr3-Bi和C-CSPbBr3-Bi肖特基型(Schottky-type)器件来验证表面处理和碳电极替代的效果。Au和C作为阳极,Bi作为阴极。研究设计多组高电压稳定性和辐射探测能力实验,包括电流密度-时间曲线(J-t)、电流密度-电压曲线(J-V)等。
    • 研究采用Hecht方程对净光电流密度曲线进行拟合,提取载流子迁移率-寿命乘积。该方程为: [ i (v ) = \frac{i_0 \mu \tau v}{d^2}(1 - e^{-\frac{d^2}{\mu \tau v}}) ] 其中,$\mu$为迁移率,$\tau$为寿命,$v$为偏压,$d$为探测器厚度,$i_0$为饱和值。

四、研究结果与分析

  1. 表面处理效果

    • 粗糙度通过原子力显微镜(AFM)分析从78.4 nm降低至9.43 nm。
    • 钝化后的光致发光强度在548 nm显著提升,并在540 nm处出现了一个小峰,表明可能形成了少量2.5D钙钛矿结构。
  2. 高电压稳定性测试

    • Au-CSPbBr3-Bi器件在高偏压时表现出严重的不稳定性,例如在500 V下电流密度-时间曲线存在较大波动。
    • 使用碳电极的C-CSPbBr3-Bi器件在0 V至1000 V的偏压范围内表现出良好的线性和稳定性,无显著波动。
  3. 载流子传输特性

    • Hecht拟合结果表明,两种器件的迁移率-寿命乘积分别为$3.15×10^{-3}\,cm^2\,V^{-1}$和$1.42×10^{-3}\,cm^2\,V^{-1}$,数据接近。
  4. 长时间耐久性

    • 在500 V的反向偏压下操作5000秒后,碳电极器件的平均暗电流密度为81.3 nA cm⁻²,显著低于金电极器件的759 nA cm⁻²,且波动更小。
  5. 辐射探测能力

    • 在X射线剂量率测试中,发现C-CSPbBr3-Bi器件的X射线灵敏度为347 µC Gy⁻¹·cm⁻²。
    • 对59.5 keV γ射线的能量谱检测结果显示,该器件的能量分辨率为约13.0 keV。

五、研究结论

本文通过表面钝化和电极替换的方法,显著提升了CsPbBr3基辐射探测器在高偏压条件下的稳定性。碳电极的使用有效抑制了金属阳极与卤化离子的化学反应,而表面处理则减少了离子迁移的重要影响。该研究为开发新一代室温半导体辐射探测材料提供了重要思路,具有极高的科学价值和应用潜力。

六、研究亮点

  1. 提出了使用碳电极代替金属电极的新策略,有效解决了电极化学不稳定性问题。
  2. 针对表面离子迁移问题引入一整套表面处理方法,包括抛光和钝化。
  3. 系统性地比较并验证了不同电极配置和处理方法对器件性能的影响。

七、研究意义与展望

本文的研究不仅为提高钙钛矿半导体探测器的稳定性做出了贡献,同时还为开发高性能辐射探测器提供了一种新型技术路线。未来的工作可以进一步优化钝化剂和电极材料,探索更多可能的应用场景,如医学成像和高能射线探测等领域。

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