基于65纳米CMOS技术的全X波段相控阵收发模块芯片研究
作者及发表信息
本研究由韩国东国大学(Dongguk University)的Hyohyun Nam、Van-Viet Nguyen、Van-Son Trinh、Jeong-Moon Song、Jung-Dong Park(通讯作者)以及韩华系统(Hanwha Systems)的Bok-Hyung Lee合作完成,发表于2020年4月的IEEE Access期刊(DOI: 10.1109/ACCESS.2020.2988501)。研究得到韩国国家研究基金会(NRF)和韩华系统的资助。
研究领域与动机
本研究属于射频集成电路(RFIC)领域,聚焦于相控阵天线系统(Phased-Array Antenna System)的核心组件——收发模块(Transmit/Receive Module, TRM)。传统TRM依赖昂贵的III-V族半导体(如GaAs)工艺,而本研究旨在通过65纳米CMOS工艺实现高性能、低成本、低功耗的TRM,覆盖X波段(8-12 GHz),以满足卫星通信、雷达等应用对紧凑型、大规模阵列的需求。
技术挑战
1. 宽带相位控制:传统无源移相器(Passive Phase Shifter)的带宽受限,难以覆盖全X波段。
2. 功率与噪声平衡:CMOS工艺的功率放大器(PA)输出功率和低噪声放大器(LNA)的噪声系数(Noise Figure, NF)需优化。
3. 集成度与面积:需在单芯片内集成移相器、衰减器、双向增益放大器(BDGA)和开关,同时减少路径损耗。
创新方法:提出“谐振频率错位技术”,通过分离高通(HP)和低通(LP)网络的谐振频率(f1 < f0 < f2),并调整相位响应斜率,实现宽带相位匹配(公式1-12)。
- 电路结构:采用6位T型/π型HP/LP/带通(BP)混合网络,最小步进5.625°(图2)。
- 验证:仿真显示均方根(RMS)相位误差°,带宽提升50%(图3-5)。
科学价值:
- 提出谐振频率错位理论,扩展无源移相器带宽。
- 首次在65纳米CMOS实现全X波段TRM,性能媲美SiGe和III-V工艺(表I)。
应用价值:
- 为低成本、高集成度相控阵系统(如5G基站、卫星终端)提供解决方案。
- 功耗仅326 mW(TX+RX),显著低于传统方案(如SiGe的792 mW)。
本研究为CMOS工艺在毫米波相控阵系统的应用提供了重要参考,未来可扩展至Ku/Ka波段或大规模阵列集成。