这篇文档属于类型a,是一篇关于D波段(D-band)双向共栅放大器(bidirectional common-gate amplifier)设计与实现的原创性研究论文,发表于IEEE Journal of Solid-State Circuits期刊,作者是Syed Mohammad Ashab Uddin(宾夕法尼亚州立大学)和Wooram Lee(宾夕法尼亚州立大学)。以下是详细报道内容:
本研究由宾夕法尼亚州立大学电气工程系的Syed Mohammad Ashab Uddin(IEEE学生会员)和Wooram Lee(IEEE高级会员)合作完成,论文发表于IEEE Journal of Solid-State Circuits,展示了两种基于45纳米RFSOI(射频绝缘体上硅)工艺的D波段(110–170 GHz)双向放大器设计。
研究背景与科学问题:随着增强现实(AR)、自动驾驶、工业物联网(IoT)等应用对高速无线数据传输需求的激增,D波段频谱因其大带宽优势成为研究热点。然而,高频信号传输面临路径损耗高、硅基射频集成电路(RFIC)晶体管性能受限等挑战。传统解决方案采用单向放大器链和单刀双掷开关(SPDT),但在D波段,SPDT的插入损耗高达2.5 dB,且占用较大芯片面积。因此,本研究提出一种新型双向放大器设计,旨在消除SPDT开关并压缩芯片尺寸。
研究团队提出了一种基于共栅放大器(common-gate amplifier)源漏对称性的设计方法,结合对称无源网络(symmetric passive networks)实现双向信号放大。核心创新包括:
- 对称级间匹配网络:通过共享串联组件(如电感或传输线)实现正向与反向放大时的共轭匹配,避免传统开关损耗。
- 电流复用技术(current-reuse technique):相邻放大器级共享电源电流,降低功耗。
研究通过两种方案验证设计:
- 变压器基放大器:频率覆盖103–123 GHz,采用变压器实现级间匹配,集成2级放大器。
- 传输线基放大器:频率覆盖124–145 GHz,使用传输线匹配网络,采用3级级联结构。
实验与建模:
- 晶体管建模:通过RC参数提取和电磁仿真(HFSS)精确建模共栅晶体管的输入/输出阻抗,验证了正向与反向模式的增益对称性(MSG/MAG差异<0.5 dB)。
- 匹配网络设计:
- 变压器方案中,将传统LC网络转换为单一变压器结构,节省面积。
- 传输线方案中,通过可调谐传输线(tunable transmission line)动态调节输入/输出匹配。
论文还探讨了双向放大器在多通道波束成形IC(beamformer IC)和异质集成模块中的应用潜力(图2–3),为未来太赫兹(THz)系统集成提供了参考架构。
研究团队在致谢中提及GlobalFoundries对芯片制造的支持,并指出后续工作可结合交错调谐(staggered tuning)进一步拓展带宽。这一成果为高频通信集成电路设计树立了新基准。