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利用溶液处理GQD增强GQDs/多孔硅异质结近紫外光电探测器的紫外传感性能

期刊:materials science in semiconductor processingDOI:10.1016/j.mssp.2023.107560

这篇文档属于类型a,即报告了一项原创性研究。以下是针对该研究的学术报告:


研究团队与发表信息

本研究由Fatemeh KalantariMina Amirmazlaghani*(通讯作者)和Saeed Olyaee合作完成,三位作者分别来自伊朗Shahid Rajaee Teacher Training University的Nano Electronics Lab (NEL)Nano-Photonics and Optoelectronics Research Laboratory (NORLab)。研究成果发表于期刊Materials Science in Semiconductor Processing第163卷(2023年),文章编号107560,在线发布于2023年4月28日。


学术背景

研究领域与动机
本研究属于半导体光电器件领域,聚焦于紫外(UV)光电探测器的性能优化。硅(Si)因其高导热性、低成本和大规模制造优势,长期以来是光电探测器的核心材料,但其间接带隙(1.12 eV)和紫外光吸收效率低的问题限制了其在UV检测中的应用。为解决这一问题,研究者提出将多孔硅(porous Si)石墨烯量子点(Graphene Quantum Dots, GQDs)结合,构建异质结以提升UV响应性能。

科学问题与目标
传统硅基探测器在UV波段响应不足,而宽禁带半导体(如GaN、ZnO)成本高昂且与硅晶格失配。本研究旨在通过溶液法制备GQDs/多孔硅异质结,利用GQDs的优异光学特性(如高UV吸收、载流子分离效率)和多孔硅的大比表面积,开发高性能、低成本的近UV探测器。


研究方法与流程

1. 多孔硅制备

  • 方法:采用金属辅助化学蚀刻法(Metal-Assisted Chemical Etching, MACE),以AgNO3/HF溶液在n型硅片上沉积银纳米颗粒(平均直径68 nm),随后通过HF/H2O2混合溶液蚀刻20分钟,形成垂直纳米柱结构。
  • 表征:扫描电子显微镜(SEM)显示多孔硅呈柱状结构,直径75–85 nm,长度29.2 μm,表面覆盖均匀(图3)。
  • 创新点:MACE法具有CMOS工艺兼容性,且可通过调节蚀刻参数控制多孔硅形貌。

2. GQDs合成与表征

  • 合成:以柠檬酸为原料,通过底部热解法(bottom-up pyrolysis)在200°C下碳化,生成GQDs水溶液(图1a)。
  • 表征
    • 透射电镜(TEM)显示GQDs粒径分布4–21 nm,平均11.14 nm(图2a-b)。
    • 紫外-可见光谱(UV-Vis)显示GQDs在256 nm(π→π*跃迁)和352 nm(n→π*跃迁)处有强吸收峰(图2c),表明其UV敏感性。
    • 傅里叶变换红外光谱(FTIR)证实表面含羧基、羟基等官能团(图2e)。

3. 器件制备与测试

  • 异质结构建:将GQDs溶液滴涂(drop-coating)于多孔硅表面,重复三次以形成均匀层,背面蒸镀铝(Al)电极,顶部涂覆银浆(Ag)作为接触(图1b)。
  • 光电测试:在395 nm近UV光(功率密度21–1400 μW/cm²)下测量电流-电压(I-V)特性,对比有无GQDs涂层的性能差异。

主要结果

  1. 光电性能提升

    • 响应度(Responsivity):GQDs/多孔硅异质结在-10 V偏压、21 μW/cm²光照下达19.41 A/W,显著高于未涂层多孔硅的0.49 A/W(图5b)。
    • 探测率(Detectivity):达7.5×10¹² Jones,外量子效率(EQE)高达6093%(表2)。
    • 机理:GQDs的宽禁带(2.94 eV)和多孔硅的载流子快速传输路径协同减少了复合损失(图6b)。
  2. 能带结构分析

    • GQDs与多孔硅形成肖特基势垒(Schottky barrier),理论计算势垒高度0.88 eV,与实验值(0.83 eV)吻合(图6)。
    • UV光激发下,GQDs通过内光电发射(internal photoemission)主导光电流生成,而非硅本身的吸收。
  3. 宽带检测能力:器件在850 nm和940 nm红外光下仍表现出可调光电流(图8),但UV波段性能最优。


结论与价值

科学意义
- 首次将溶液法GQDs与MACE多孔硅结合,证明了异质结在UV探测中的高效性。
- 揭示了GQDs通过内光电发射和载流子分离增强响应的机制,为硅基探测器设计提供了新思路。

应用价值
- 低成本、CMOS兼容的制备工艺适合大规模生产,可应用于环境监测(如臭氧检测)、医疗诊断和光通信等领域。


研究亮点

  1. 创新方法:结合溶液法GQDs与MACE多孔硅,工艺简单且性能优越。
  2. 性能突破:EQE超6000%,远超同类硅基探测器(如ZnO/GQDs结构EQE仅48%)。
  3. 机理深化:通过能带工程阐明GQDs主导的光电转换机制,弥补了硅基UV探测的理论空白。

其他价值

  • 研究还探讨了器件在红外波段的响应(图7-8),展示了其宽带检测潜力,但需进一步优化选择性。
  • 动态响应测试(未展示数据)正在进行,预计将验证器件的高速性能。

(报告总字数:约2000字)

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