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本研究由Guangjian Wu(复旦大学集成芯片与系统国家重点实验室)、Xumeng Zhang(复旦大学)、Guangdi Feng(华东师范大学)等15位作者共同完成,通讯作者为Bobo Tian(华东师范大学)、Qi Liu(复旦大学)和Jianlu Wang(复旦大学)。论文于2023年12月发表于《Nature Materials》(Volume 22, Pages 1499–1506),标题为《Ferroelectric-defined reconfigurable homojunctions for in-memory sensing and computing》,DOI: 10.1038/s41563-023-01676-0。
科学领域:本研究属于新型计算架构与光电传感交叉领域,涉及铁电材料、二维半导体器件和神经形态计算。
研究动机:传统视觉架构中,传感器、内存和计算单元分离,导致数据迁移能耗高、延迟大(如自动驾驶、机器人视觉等实时场景)。尽管“内存计算”(in-memory computing)和“传感器内计算”(in-sensor computing, ISC)已部分解决了内存与计算的接口问题,但将传感、存储与计算三模块集成到单一设备仍面临挑战。
核心目标:提出一种基于铁电定义二维同质结的“内存传感计算”(IMSC)架构,实现高灵敏度成像、权重存储与高阶计算的一体化,突破传统架构的能效与延迟瓶颈。
3.1 器件设计与制备
- 材料与结构:采用二维半导体材料二碲化钼(MoTe₂)构建同质结,以有机铁电聚合物P(VDF-TrFE)作为栅极介电层(厚度250 nm),通过极化控制实现p-n/n-p结的可重构切换。
- 工艺创新:
- 通过电子束光刻制备间距300 nm的底部分裂栅极。
- 石墨烯作为欧姆接触材料,通过氧离子刻蚀形成10 μm间隙。
- 为大规模阵列制备,后期改用金电极(Cr/Au,15/45 nm)并退火优化接触。
3.2 铁电调控与光电响应特性
- 极化控制:施加±25 V电压脉冲(脉宽10 μs)可独立调控分裂栅极的极化方向,实现p-n结到n-p结的连续渐变(图2e)。
- 光电性能:
- 光伏效应下,p-n/n-p结分别产生负/正光电流(响应度±800 mA/W),通过54状态(>5比特)线性可调(图3c)。
- 光电流与光强呈线性关系(指数α≈1),支持灰度图像处理(图3e)。
- 器件响应速度达1.9 μs(上升)/0.6 μs(下降),覆盖紫外(340 nm)至近红外(1310 nm)波段(图3h)。
3.3 阵列实现与计算验证
- 3×3像素阵列:每个像素包含3个子像素(红、蓝、绿阵列),通过空间交错排布实现三合一卷积核(图4a)。
- 权重存储:铁电畴非易失性存储光响应度(R),支持51个可区分状态(非线性度仅0.12/−0.12)。
- 矩阵乘法(MVM):光电流生成(I_ph = P×R)与基尔霍夫电流求和定律实现模拟计算(公式1)。
- 机器人控制实验:训练阵列识别“L”“⅃”“T”图案,实时控制机器狗转向与停止(图5e),验证了无外部存储/计算单元的端到端处理能力。
逻辑递进:
1. 铁电畴调控→实现p-n结电位剖面连续可调→光响应度线性对称可逆;
2. 多态存储→支持高精度模拟计算(MVM)→完成图像识别;
3. 阵列集成→消除数据迁移→降低延迟与硬件开销。