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人工漏斗纳米通道装置模拟突触行为

期刊:Nano LettersDOI:10.1021/acs.nanolett.3c05079

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人工漏斗形纳米通道装置模拟突触行为的研究报告

作者及发表信息
本研究由Peiyue Li(第一作者)、Junjie Liu(共同一作)、Jun-Hui Yuan、Yechang Guo、Shaofeng Wang、Pan Zhang(通讯作者)及Wei Wang(通讯作者)合作完成,研究团队来自北京大学集成电路学院、武汉理工大学理学院及中国地质大学(北京)工程技术学院。研究成果发表于《Nano Letters》期刊,2024年4月26日在线发表(Volume 24, Issue 14, Pages 6192–6200),DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c05079。


学术背景
研究领域为纳米流体离子电子学(nanofluidics iontronics)仿生神经形态计算。当前,基于固态电子器件的仿生突触虽能模拟神经功能,但存在生物兼容性差、信号载体不匹配(电子vs离子)及工作电压高(≥10 V)等问题,难以实现与生物神经系统的直接交互。本研究旨在开发一种结构与信号载体均接近生物突触的纳米流体器件,通过液/液界面(liquid/liquid interface, L/L)的不混溶电解质设计,实现超低工作电压(200 mV)下的离子记忆效应和多级电导调控,为脑机接口和类脑计算提供新范式。


研究流程与方法
1. 器件设计与制备
- 结构设计:采用微机电系统(MEMS)技术制备漏斗形纳米通道(funnel nanochannel),尖端宽度203 nm,深度1.5 μm(图1d)。通道内形成KCl水溶液/离子液体(BMIMPF6)的L/L界面,模拟生物膜离子通道(图1c)。
- 创新点:通过几何结构调控离子传输不对称性,结合MEMS工艺实现晶圆级集成。

  1. 离子传输特性研究

    • 实验方法:通过循环伏安法(I-V扫描)分析50次循环的电流-电压曲线(图1e),发现滞后现象(hysteresis)。
    • 机制验证
      • 差分脉冲伏安法(DPV)证实BMIM⁺和K⁺为跨界面主要载流子(图2f)。
      • 微移液管实验模拟界面离子转移,揭示扩散系数差异导致的非对称传输(图2e)。
  2. 突触功能模拟

    • 化学信号响应:通过改变KCl浓度(10–500 mM)和电解质类型(KBr、NaCl),调控滞后环面积和电导弛豫时间(图3a-d),证明器件对多离子信号的区分能力。
    • 电脉冲调控
      • 短时程增强(STP)和抑制(STD):30次连续正/负脉冲(1 V/-10 V)实现电导阶梯式变化(图4a-b)。
      • 时序依赖可塑性(STDP)和频率依赖可塑性(SRDP):通过脉冲时序和频率调控突触权重(图5b-d),时间常数144 ms,与生物突触匹配。
  3. 数据分析

    • 通过Nernst方程消除电极电位影响,量化滞后环面积与化学信号的关系(图S12)。
    • 建立离子电流模型(公式1-2),解析不同离子对总电流的贡献(图3e-f)。

主要结果
1. 超低工作电压:器件在200 mV下实现离子记忆效应,接近生物动作电位(∼110 mV)。
2. 多模态信号处理
- 化学信号:KCl浓度变化引起滞后环面积增大(10→500 mM时增加2.1倍)。
- 电信号:脉冲宽度从200 ms增至600 ms时,电导变化幅度提升40%。
3. 仿生功能验证:STDP曲线显示突触权重随脉冲时序差(Δt)呈指数衰减(图5b),符合Hebbian学习规则。


结论与价值
1. 科学意义
- 提出基于L/L界面的纳米流体突触新机制,填补了离子载体与生物系统兼容的技术空白。
- 为理解非对称离子传输与记忆效应的关联提供了实验模型。
2. 应用前景
- 脑机接口:低电压和化学信号兼容性有望突破生物-机器信息屏障。
- 类脑计算:晶圆级制备技术为大规模离子神经形态网络奠定基础。


研究亮点
1. 结构创新:漏斗形纳米通道设计结合L/L界面,首次实现离子传输的梯度调控。
2. 性能突破:工作电压(200 mV)为同类器件最低,较传统固态突触降低2个数量级。
3. 功能拓展:同时响应电/化学信号,模拟STP、STDP等复杂突触可塑性。

其他价值
- 支持信息中提供了器件制备细节(图S1)、表面电荷排除实验(图S7)及离子贡献量化方法(图S13),为后续研究提供完整方法学参考。

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