CMOS兼容的应变工程用于单层半导体晶体管

CMOS兼容的应变工程在单层半导体晶体管中的应用 学术背景 随着半导体技术的不断发展,二维(2D)材料因其原子级薄层特性在高密度、低功耗电子器件中展现出巨大潜力。特别是过渡金属二硫化物(TMDs),如二硫化钼(MoS₂),因其优异的电学性能,被认为是未来晶体管通道的理想材料。然而,尽管2D材料在实验室中表现出色,如何将其与现有的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术兼容,仍然是一个巨大的挑战。 应变工程(Strain Engineering)在现代硅基电子器件中已经发挥了重要作用。自20世纪90年代引入以来,应变工程通过改变材料的能带结构,显著提高了晶体管的载流子迁移率。然而,如何在2D材料中实现类似的应变效应,尤其是在CMOS兼容的工艺条件下,仍然是一个未解决的问题。本文的研究正是为了解决这...

Cr掺杂V2O3薄膜的压阻特性及其在MEMS传感器中的应用研究

关于Cr掺杂V₂O₃薄膜压阻效应的研究及其在MEMS传感器中的应用 学术背景 压阻式微机电系统(MEMS)传感器是一类利用材料的压阻效应将应力变化转化为电阻变化的设备,广泛应用于汽车、航空航天、生物医学和研究领域。目前,大多数压阻式传感器使用掺杂硅作为压阻材料,尽管其易于集成且成本低廉,但其压阻效应有限,纵向压阻系数(Gauge Factor, GF)通常低于120。为了提升传感器性能,研究人员一直在探索新的压阻材料。钒氧化物材料因其独特的压阻特性引起了广泛关注,尤其是Cr掺杂的V₂O₃薄膜,其在室温下通过应变控制表现出显著的电阻变化,显示出作为压阻材料的潜力。 论文来源 本论文由Michiel Gidts、Wei-Fan Hsu、Maria Recaman Payo、Shaswat Kus...