学術的背景 立方晶窒化ホウ素（C-BN）は、超広帯域半導体材料であり、極めて高い熱伝導率、低い誘電率、および高い絶縁破壊電界を有しているため、高温・高電力電子デバイスにおいて広範な応用が期待されています。しかし、C-BNの合成は依然として多くの課題に直面しており、特に大面積基板上での高品質な単結晶C-BN薄膜の成長は困難です。ダイヤモンドは、C-BNとの格子不整合が小さい（1.36%）ことから、C-BNのエピタキシャル成長における理想的な基板とされています。それでも、C-BN/ダイヤモンドヘテロ構造の合成はまだ初期段階にあり、欠陥密度を低減し薄膜品質を向上させる方法については多くの未解決の問題が残されています。 本研究では、電子サイクロトロン共鳴プラズマ強化化学気相成長（ECR PECVD）...

選択的レーザー溶融タンタル骨プレートの研究と臨床応用 学術的背景 整形外科インプラント分野では、チタン（Ti）ベース合金とタンタル（Ta）が高い生体適合性のために広く使用されています。チタンベース合金は通常、骨プレートや大腿骨ステムなどの荷重インプラントの製造に使用され、タンタルはその高密度と優れた骨組織親和性のため、多孔質形態やコーティング材料として使用されます。しかし、化学気相成長法（CVD）などの従来の製造方法では、多孔質構造のトポロジー特性を正確に制御することができず、整形外科インプラントにおけるタンタルの応用が制限されていました。近年、積層造形（AM）技術、特に選択的レーザー溶融（SLM）技術により、複雑な多孔質構造を持つ個別化インプラントの製造が可能になりました。本研究では、SL...