Contexte académique et problématique Dans le domaine de la métrologie, l’effet Hall quantique (Quantum Hall Effect, QHE) et l’effet Josephson fournissent respectivement les standards quantiques pour la résistance électrique (ohm) et la tension électrique (volt). Cependant, les standards de résistance quantique Hall (Quantum Hall Resistance Standard...

Transistors à effet de champ p-types haute performance : dopage substitutionnel et contrôle d’épaisseur des matériaux bidimensionnels Contexte académique Avec le développement continu de la technologie des semi-conducteurs, les transistors à effet de champ (FETs) en silicium approchent leurs limites physiques en termes de performances. Pour surpass...

Construction homogène d’une valve à spin de graphène : basée sur l’effet de proximité avec l’aimant van der Waals Cr₂Ge₂Te₆ Contexte et importance de l’étude Le graphène, en tant que matériau bidimensionnel, présente un grand potentiel pour l’électronique spintronique grâce à ses excellentes propriétés de transport électronique et sa longue longueu...

Rapport académique sur une publication en électronique basée sur les phases de Hall quantique fractionnel dans des transistors au disulfure de molybdène (MoS₂) de type n à haute mobilité Contexte et motivation de l’étude À basse température, les transistors basés sur des dichalcogénures de métaux de transition semi-conducteurs (TMDs) offrent des pr...

Couplage non linéaire de modes proches dans des résonateurs nanoélectromécaniques en MoS₂ atomiquement minces Contexte académique Avec le développement rapide des nanotechnologies, les systèmes nanoélectromécaniques (NEMS) montrent un potentiel énorme dans des domaines tels que les capteurs, le traitement du signal et l’informatique quantique. En p...