C-BN/金刚石异质结构的结构和化学分析

学术背景 立方氮化硼(C-BN)是一种超宽带隙半导体材料,具有极高的热导率、低介电常数和高击穿电场,因此在高温、高功率电子器件中具有广泛的应用前景。然而,C-BN的合成仍然面临诸多挑战,尤其是如何在大尺寸基底上实现高质量的单晶C-BN薄膜的生长。金刚石由于其与C-BN的晶格失配较小(1.36%),被认为是C-BN外延生长的理想基底。尽管如此,C-BN/金刚石异质结构的合成仍然处于早期发展阶段,尤其是在如何减少缺陷密度和提高薄膜质量方面,仍然存在许多未解之谜。 本研究旨在通过电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR PECVD)技术,在硼掺杂的金刚石基底上生长C-BN薄膜,并通过透射电子显微镜(TEM)和电子能量损失谱(EELS)等手段,详细分析薄膜的形貌特征、缺陷类型以及化学键合状态。研...

超薄无定形氮化碳与硅的共价异质结构用于高性能垂直光电二极管

碳氮化物(Carbon Nitride, CN)作为一种二维n型半导体材料,因其优异的光催化活性和稳定性,在光驱动能量转换和环境应用中展现出巨大潜力。然而,尽管CN在光催化领域表现出色,其在光电子器件中的应用却受到限制,尤其是在硅(Si)基光电子器件中。主要原因在于缺乏能够大规模制备高质量、均匀且可加工的CN薄膜的合成方法。现有的合成方法,如纳米片分散涂层、液-固界面合成、高温退火等,虽然在一定程度上实现了CN薄膜的制备,但在晶圆级均匀性、表面粗糙度以及与硅的界面结合强度等方面仍存在不足。这些问题导致CN与硅的异质界面存在大量缺陷,阻碍了载流子的传输,进而限制了器件性能的提升。 为了解决这些问题,研究人员提出了一种新型的合成方法,通过两步化学气相沉积(CVD)和氢气氛退火工艺,成功在硅上制备...

室温下脉冲激光沉积法制备α-CH3NH3PbI3卤化物钙钛矿的外延生长

学术背景 金属卤化物钙钛矿(Metal Halide Perovskites, MHPs)因其独特的光电特性在光伏领域备受关注。近年来,这些材料在发光二极管、激光器、光电探测器和自旋电子学等领域的应用也得到了广泛研究。然而,尽管在溶液法(solution-processed)制备的钙钛矿薄膜方面取得了显著进展,关于气相法(vapor-phase deposition)制备的钙钛矿薄膜的外延生长(epitaxial growth)研究仍然较少。外延生长是一种能够实现单晶薄膜生长的技术,对于理解材料的基本物理性质以及开发高性能器件至关重要。本文旨在通过脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition, PLD)技术,在室温下实现α-CH3NH3PbI3(甲基铵铅碘钙钛矿)的外延生长,...

利用时间分辨三维电子衍射揭示超大孔沸石中的拓扑转变

学术背景 沸石(zeolite)是一种具有规则孔道结构的微孔材料,广泛应用于催化、吸附和离子交换等领域。由于其独特的孔道结构和化学性质,沸石在石油化工、环境保护和能源储存等领域具有重要的应用价值。然而,沸石的合成和结构调控仍然面临诸多挑战,尤其是在超大孔沸石的合成和结构稳定性方面。传统的合成方法往往难以精确控制沸石的结构,而拓扑转化(topotactic transformation)作为一种重要的策略,可以通过原子尺度的结构变化来实现沸石的定向合成和结构调控。 本研究旨在通过时间分辨的三维电子衍射(3D electron diffraction, 3D ED)技术,揭示超大孔硅酸盐沸石ECNU-45向ECNU-46的拓扑转化过程。通过原子尺度的结构动态分析,研究者希望深入理解沸石在拓扑转化...

利用高熵钙钛矿气凝胶实现高效大气水能量转换的便携设备

学术背景 全球范围内的水资源和能源短缺问题在干旱和偏远地区尤为严重,尤其是在气候变化加剧的背景下,这一问题变得更加紧迫。传统的水资源和能源获取方式,如海水淡化或大规模电力输送,不仅成本高昂,技术复杂,且难以在资源匮乏的地区实施。因此,开发一种可持续的技术,能够从大气中直接获取水分并将其转化为清洁水和能源,成为了当前研究的重点。大气水分收集(Atmospheric Water Harvesting, AWH)技术通过利用自然界的露水和雾气,提供了一种分散式的解决方案,能够在干旱和偏远地区提供清洁水资源,同时减少对传统集中式系统的依赖。然而,如何将AWH技术与能源生成相结合,特别是通过电催化水分解产生氢气和氧气,仍然是一个具有挑战性的课题。 论文来源 该研究由Yi Lu、Zongze Li、Gu...