Solution symétrique au spin de l'équation de Schrödinger à plusieurs corps avec un réseau neuronal profond

Résolution de l’équation de Schrödinger à N corps avec application forcée de la symétrie de spin via un réseau de neurones profond : une percée méthodologique Dans le domaine de la physique quantique et de la chimie quantique, la description des systèmes électroniques à N corps reste un sujet central mais extrêmement complexe. La caractérisation pr...

Caractérisation cryogénique rapide de 1 024 dispositifs à points quantiques en silicium intégrés

Rapport sur l’article académique concernant la caractérisation cryogénique rapide de 1 024 dispositifs à points quantiques intégrés en silicium Introduction générale L’informatique quantique, en tant que technologie de rupture dans le domaine calculatoire, promet de surpasser les ordinateurs classiques haute performance dans des domaines tels que l...

Un standard quantique de résistance sans champ magnétique externe au niveau de 10⁻⁹

Contexte académique et problématique Dans le domaine de la métrologie, l’effet Hall quantique (Quantum Hall Effect, QHE) et l’effet Josephson fournissent respectivement les standards quantiques pour la résistance électrique (ohm) et la tension électrique (volt). Cependant, les standards de résistance quantique Hall (Quantum Hall Resistance Standard...

Une valve de spin en graphène sans soudure basée sur la proximité avec le magnétisme de van der Waals Cr2Ge2Te6

Construction homogène d’une valve à spin de graphène : basée sur l’effet de proximité avec l’aimant van der Waals Cr₂Ge₂Te₆ Contexte et importance de l’étude Le graphène, en tant que matériau bidimensionnel, présente un grand potentiel pour l’électronique spintronique grâce à ses excellentes propriétés de transport électronique et sa longue longueu...

Phases de Hall quantique fractionnaire dans des transistors au disulfure de molybdène de type n à haute mobilité

Rapport académique sur une publication en électronique basée sur les phases de Hall quantique fractionnel dans des transistors au disulfure de molybdène (MoS₂) de type n à haute mobilité Contexte et motivation de l’étude À basse température, les transistors basés sur des dichalcogénures de métaux de transition semi-conducteurs (TMDs) offrent des pr...