時空間グラフベースのスマートグリッドにおける対抗的虚偽データ注入回避攻撃の生成と検出 背景 現代のスマートグリッドは、ネットワーク化されたサイバーフィジカルシステム（Cyber-Physical Systems, CPS）の一例であり、複数のコンポーネント間で大量のデータを交換する必要があるため、さまざまな安全リスクにさらされています。その中で、虚偽データ注入攻撃（False Data Injection Attacks, FDIAs）は、センサーのデータを改ざんすることで大きな注目を集めています。攻撃者はこれらの虚偽データを利用して、従来の異常データ検出システム（Bad Data Detection, BDD）をすり抜けることが可能であり、不適切な運用判断を引き起こし、最悪の場合システムの...

投稿論文へのレポート: 《Event-Triggered Fuzzy Adaptive Stabilization of Parabolic PDE–ODE Systems》 研究背景と意義 現代の工学システム（柔軟アーム、熱伝導装置、反応器制御器など）では、偏微分方程式（Partial Differential Equations, PDE）を用いてモデル化することが必要です。特に、PDEは反応-拡散特性による無限次元システムの特徴付けに重要です。しかし、これらのシステムが常微分方程式（Ordinary Differential Equations, ODE）と連結された場合、設計の複雑さが増大します。この際、制御設計において特に困難となるのは、非線形性やカスケードシステムにおける不確実性...

2Dトランジスタにおける高κ酸化ガリウムの統合に関する研究 学術的背景 半導体技術の進展に伴い、二次元材料（例えばモリブデン二硫化物、MoS₂）はその独特な電気的特性と原子レベルの厚さから、次世代トランジスタチャネル材料の有力候補とされています。しかし、2Dトランジスタの性能はゲート絶縁層の品質に大きく依存します。現在一般的な蒸着技術（例えば、化学気相堆積（CVD）や原子層堆積（ALD））では、2D材料表面に高品質な超薄金属酸化物層を形成することが困難であり、その結果、界面品質が低下しトランジスタの性能に悪影響を及ぼします。そのため、2D材料表面で高品質な超薄絶縁層を形成する新たな方法が必要とされています。 研究の出典 この研究は、多機関に所属する研究チームによって共同で行われました。著者に...

1024個統合シリコン量子ドットデバイスの迅速な低温特性評価に関する研究レビュー 背景紹介 量子コンピューティングは未来の計算技術として大きな注目を集めており、材料科学、医薬品探索、大量データ検索などの分野において、従来の高性能コンピュータを大幅に凌駕する可能性を秘めています。シリコンベースの量子ドット（Quantum Dot, QD）は、誤り訂正可能な量子コンピュータを実現するための有望なプラットフォームであり、コンパクトなサイズ、スピン量子ビットのサポート、および既存の半導体製造プロセスとの互換性という利点を有しています。同位体濃縮シリコンにおいて、スピン量子ビットは、誤り訂正量子コンピューティングに必要な制御、初期化、読み出しの精度を達成していることが示されています。しかし、現実的な課...

三次元トランジスタ研究：2D半導体材料を核とした未来のCMOS技術の発展 近年、シリコンベースの相補性金属酸化膜半導体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）技術がその物理的限界に近づく中、次世代のマイクロエレクトロニクス技術におけるミニaturization（微細化）と性能向上が多くの課題に直面しています。ナノメートルスケールでオン・オフ電流比(on–off current ratio)を維持し、集積密度を高めながらエネルギー効率を向上させることが、学術界および産業界で緊急に解決すべき課題となっています。本研究では、これらの背景を踏まえ、ポストシリコン時代のCMOS技術の鍵となる導電チャネル材料として、二次元(2D)の遷移金属ジカルコゲ...