高生成率での効率ロールオフが抑制されたインターカレート遷移金属ダイカルコゲナイドに基づく発光ダイオード

挿入層遷移金属ジカルコゲニドに基づく高生成率での効率低下が抑えられた発光ダイオード(LEDs)の研究 背景と研究意義 近年、2次元(2D)材料を基盤とした発光ダイオード(LEDs)は、ディスプレイ技術、光通信、ナノ光源などの分野で注目を集めています。しかし、2D材料の強い量子閉じ込め効果と減少した誘電体遮蔽効果により、高生成率下では2D材料LEDに「効率低下」(Efficiency Roll-Off, ERO)が生じる課題が存在します。この現象は主に励起子-励起子消滅(Exciton-Exciton Annihilation, EEA)プロセスに起因します。このプロセスは、ある励起子が別の励起子を非放射的に解離させ、エネルギーを放出するオージェ再結合(Auger recombination)...

液体金属微滴の迅速な三次元組立によるソフト電子ビアと相互接続

液体金属微滴の迅速な三次元組立によるソフト電子ビアと相互接続

柔性エレクトロニクスにおける液体金属マイクロドロップの迅速な三次元組立と電気的接続の研究 はじめに:研究背景と意義 柔軟な電子技術がソフトロボティクス、ウェアラブルデバイス、柔軟ディスプレイなどの分野で広く応用される中、柔軟で伸縮可能な回路間の層間電気接続を実現する方法が、この分野の重要な課題の一つとなっています。従来の硬質電子デバイスでは、化学やプラズマエッチングなどの成熟した技術により、シリコンウェハ上でミクロンからナノメートルレベルの貫通孔(ビア)が作製されています。しかし、柔軟な電子分野において、この方法には流動性材料の粘度や機械的性能の不整合、また孔埋めプロセスの非効率性や複雑さといった問題があります。特に、柔軟デバイスの機械的動特性により、従来の硬質導体で作製された貫通孔は応力集...

CMOS互換の単層半導体トランジスタのための歪みエンジニアリング

CMOS互換のひずみ工学を単層半導体トランジスタに適用 学術的背景 半導体技術の進化に伴い、2次元(2D)材料はその原子レベルの薄さから、高密度・低電力の電子デバイスにおいて大きな可能性を示しています。特に、二硫化モリブデン(MoS₂)などの遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDs)は、優れた電気的特性から、将来のトランジスタチャネル材料として期待されています。しかし、2D材料が実験室レベルで優れた性能を示す一方で、既存のCMOS(相補型金属酸化膜半導体)技術との互換性をどのように実現するかは、依然として大きな課題です。 ひずみ工学(Strain Engineering)は、現代のシリコンベースの電子デバイスにおいて重要な役割を果たしてきました。1990年代に導入されて以来、ひずみ工学は材料のバ...

スパッタリングされたカリウムナトリウムニオブ酸塩を使用した高音圧圧電マイクロマシニング超音波トランスデューサ

高音圧圧電マイクロマシニング超音波トランスデューサの研究進展 学術的背景 超音波トランスデューサは、物体検出、非破壊検査、生体医学的イメージング、治療などの分野で広く使用されています。従来のバルク超音波トランスデューサと比較して、圧電マイクロマシニング超音波トランスデューサ(PMUT)は、小型化、低消費電力、広帯域幅などの利点があり、消費電子機器やIoT(モノのインターネット)における測距、ジェスチャー認識、指紋センシング、3Dイメージングなどのアプリケーションに適しています。しかし、これらの小型センサーは出力圧力が比較的低く、さまざまなアプリケーションでの信号伝送が制限されています。例えば、最先端の窒化アルミニウム(AlN)ベースのPMUTアレイは、4メートルの伝送距離しか達成していません...

樹根にインスパイアされたテンプレート制限付き添加印刷による高ロバスト性コンフォーマル電子デバイスの製造

樹根にインスパイアされたテンプレート制約付き積層印刷による高耐久性コンフォーマル電子デバイスの製造 学術的背景 スマートロボティクス、スマートスキン、統合センシングシステムなどの新興アプリケーションシーンの急速な発展に伴い、自由曲面におけるコンフォーマル電子デバイスの応用が重要となっています。しかし、既存のコンフォーマル電子デバイスは、機械的または熱的影響下で容易に破断、断裂、またはクラックが発生し、その応用信頼性が制限されています。この問題を解決するため、研究者は樹根系の力学メカニズムからインスピレーションを得て、高耐久性のコンフォーマル電子デバイスを製造するためのテンプレート制約付き積層印刷(Template-Confined Additive, TCA)技術を提案しました。 論文の出典...