基于时空图的智能电网对抗性虚假数据注入逃逸攻击的生成与检测 背景介绍 随着现代智能电网的不断发展，电网作为一种典型的网络化信息物理系统（Cyber-Physical Systems, CPS），因其需要在不同组件之间交换大量数据，面临各种安全威胁。其中，虚假数据注入攻击（False Data Injection Attacks, FDIAs）因其能够篡改传感器数据而备受关注。攻击者可以借助这些虚假数据绕过传统的坏数据检测系统（Bad Data Detection, BDD），从而导致错误的操作决策，甚至可能使系统过载。然而，传统FDIAs相对简单，其明显的数据异常容易被数据驱动的机器学习模型检测到。 相比之下，对抗性虚假数据注入逃逸攻击（Adversarial False Data Inje...

科研新闻报告：关于《Event-Triggered Fuzzy Adaptive Stabilization of Parabolic PDE–ODE Systems》 研究背景及意义 在现代工程系统中，例如柔性机械臂、热传导设备和反应器控制器等，许多复杂系统需要通过偏微分方程（Partial Differential Equations, PDE）建模，而PDE通过其独特的反应-扩散特性经常用于描述无穷维系统。然而，当这些系统与常微分方程（Ordinary Differential Equations, ODE）级联组成反应扩散控制系统时，设计有效的控制方案变得更为复杂，尤其是在存在耦合现象或非线性因素的情况下。 特别是在金属轧制、柔性海洋升降装置以及高超音速飞行器热保护等工程领域中，这些...

二维晶体管中高κ氧化镓的集成研究 学术背景 随着半导体技术的不断进步，二维材料（如二硫化钼，MoS₂）因其独特的电学性能和原子级厚度，被认为是下一代晶体管通道材料的潜在候选者。然而，二维晶体管的性能在很大程度上依赖于栅极介电层的质量。传统的沉积技术（如化学气相沉积CVD和原子层沉积ALD）在二维材料表面沉积超薄金属氧化物时，往往难以形成均匀的介电层，导致界面质量差，进而影响晶体管的性能。因此，开发一种能够在二维材料表面形成高质量、超薄介电层的方法，成为了当前研究的热点。 研究来源 这项研究由来自多个机构的科研团队共同完成，主要作者包括Kongyang Yi、Wen Qin、Yamin Huang等，研究团队来自新加坡南洋理工大学、南京航空航天大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、美国德...

快速低温表征1,024个集成硅量子点设备研究综述 背景介绍 量子计算作为未来计算领域的颠覆性技术，承诺在材料科学、药物发现、大数据搜索等方面远超传统高性能计算机。硅基量子点（Quantum Dot, QD）是一种潜在的实现容错量子计算机的平台，具有小体积、支持自旋量子比特、可与现有半导体制造工艺兼容的优势。在富同位素硅中，自旋量子比特已展示出能够满足容错量子计算需要的控制、初始化和读取精度。但实现真正意义上的容错量子计算以解决实际问题，仍需数百万个物理量子比特的扩展。 随着量子处理器的复杂性逐渐增加，设备变异性管理和与底层电子设备的接口成为了新的技术挑战。频率分配复用、多路互交架构等方案已被应用于减少和优化与量子比特之间的数据信号连接。然而，这些方案受限于设备间的变异性和信号密度，因此需要更...

三维晶体管研究：以二维半导体材料为核心的未来CMOS技术发展 近年来，随着硅基互补金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）技术接近其物理极限，下一代微电子技术的持续缩放和性能优化面临诸多挑战。如何在亚纳米尺度上维持电流开关比(on–off current ratio)、提高集成密度以及提升能效，成为学术界和工业界亟待解决的问题。本文针对这一背景，提出探索二维（2D）过渡金属二硫化物（Transition Metal Dichalcogenides, TMDs）作为后硅CMOS时代的关键导电通道材料，并通过设计新的三维（3D）晶体管架构，展示了其在延续摩尔定律（Moore’s Law）方面的巨大潜能。 研究背景与意义 CMO...