基于插层过渡金属二硫化物的高效发光二极管

基于插层过渡金属二硫族化合物的高发射率下无效率衰减的发光二极管研究 背景与研究意义 近年来,基于二维(2D)材料的发光二极管(LEDs)在显示技术、光通信和纳米光源等领域的应用前景备受瞩目。然而,由于二维材料的强量子限域效应与减弱的介电屏蔽,二维材料LEDs在高激发生成率下常出现“效率衰减”(Efficiency Roll-Off)的现象。这种现象主要归因于激子-激子湮灭(Exciton-Exciton Annihilation, EEA)过程,该过程是一种类似俄歇复合的非辐射能量耗散机制。具体表现为:一个激子通过能量转移导致另一个激子离子化,同时导致辐射效率急剧降低。 尽管已有研究通过六方氮化硼(hBN)包覆和高κ基底等介电工程手段来减弱EEA,如在单层过渡金属二硫族化合物(TMDs)中实...

利用液态金属微滴的快速三维组装实现软电子通孔和互连

利用液态金属微滴的快速三维组装实现软电子通孔和互连

柔性电子中的液态金属微滴快速三维组装与电气连接研究 简介:研究背景与意义 随着柔性电子技术在软体机器人、可穿戴电子设备、柔性显示屏等领域的广泛应用,如何实现柔性和可拉伸电路的层间电气连接成为该领域的核心挑战之一。传统刚性电子设备中,通过化学或等离子蚀刻等成熟技术完成硅片上的微米至纳米级贯通孔(via)制备。然而,在柔性电子中,这种方法存在流体材料黏度、力学性能失配以及填孔过程低效复杂等问题。尤其是,由于柔性器件的机械动态特性,传统刚性导体制作的贯通孔易成为应力集中区域,从而导致器件的结构性缺陷乃至失效。 为解决这一系列挑战,本研究提出了一种基于液态金属微滴(Liquid Metal Microdroplets, LMMDs)层化沉积的快速制造方法,用以形成柔性电子应用中的三维电气互连。液态金...

CMOS兼容的应变工程用于单层半导体晶体管

CMOS兼容的应变工程在单层半导体晶体管中的应用 学术背景 随着半导体技术的不断发展,二维(2D)材料因其原子级薄层特性在高密度、低功耗电子器件中展现出巨大潜力。特别是过渡金属二硫化物(TMDs),如二硫化钼(MoS₂),因其优异的电学性能,被认为是未来晶体管通道的理想材料。然而,尽管2D材料在实验室中表现出色,如何将其与现有的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术兼容,仍然是一个巨大的挑战。 应变工程(Strain Engineering)在现代硅基电子器件中已经发挥了重要作用。自20世纪90年代引入以来,应变工程通过改变材料的能带结构,显著提高了晶体管的载流子迁移率。然而,如何在2D材料中实现类似的应变效应,尤其是在CMOS兼容的工艺条件下,仍然是一个未解决的问题。本文的研究正是为了解决这...

使用溅射钾钠铌酸盐的高声压压电微机械超声换能器

高声压压电微机械超声换能器的研究进展 学术背景 超声换能器在物体检测、无损检测、生物医学成像和治疗等领域有着广泛的应用。与传统的体超声换能器相比,压电微机械超声换能器(PMUTs)具有体积小、功耗低、带宽宽等优势,适用于消费电子和物联网(IoT)中的测距、手势识别、指纹传感和3D成像等应用。然而,这些小型传感器的输出压力相对较低,限制了其在多种应用中的信号传输能力。例如,目前最先进的基于氮化铝(AlN)的PMUT阵列仅能实现4米的传输距离。为了扩展PMUT在诸如空中触觉反馈、扬声器和声学镊子等应用中的使用,主要挑战在于实现高声压级(SPL)。 PMUT的传输特性主要由机械结构设计和活性压电材料决定,因此寻找新的材料以提升性能成为研究重点。尽管AlN是最常用的压电材料,但其压电系数较低(e31...

基于树根启发的模板限制增材打印技术制造高鲁棒性共形电子器件

基于树根启发的模板限制增材打印技术用于制造高鲁棒性共形电子器件 学术背景 随着智能机器人、智能皮肤和集成传感系统等新兴应用场景的快速发展,共形电子器件在自由曲面上的应用变得至关重要。然而,现有的共形电子器件在机械或热影响下容易发生撕裂、断裂或开裂,限制了其应用可靠性。为了解决这一问题,研究人员从树根系统的力学机制中获得灵感,提出了一种模板限制增材打印(Template-Confined Additive, TCA)技术,用于制造高鲁棒性的共形电子器件。 论文来源 该论文由Guifang Liu、Xiangming Li、Yangfan Qiu等作者共同撰写,作者来自西安交通大学微纳技术研究中心和前沿科学技术研究院。论文于2024年发表在Microsystems & Nanoengineeri...