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Rapport sur une étude portant sur l’intégration de l’oxyde de gallium à haute constante diélectrique pour les transistors bi-dimensionnels Contexte académique Avec les progrès constants dans la technologie des semi-conducteurs, les matériaux bidimensionnels (comme le disulfure de molybdène, MoS₂) sont considérés comme des candidats potentiels pour ...

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Recherche sur l’électronique souple basée sur l’impression par engloutissement de particules Contexte académique Avec le développement rapide des dispositifs portables, de la surveillance de la santé, des dispositifs médicaux et des interactions homme-machine, les dispositifs électroniques souples (électroniques flexibles) suscitent un grand intérê...

Rapport sur un article scientifique : Transistors tridimensionnels à base de semi-conducteurs bidimensionnels pour l’avenir du CMOS Contexte et objectif de la recherche Dans un contexte où la technologie CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) à base de silicium approche ses limites physiques, cette étude se concentre sur l’exploration des m...