Génération et détection d'attaques d'évasion par injection de fausses données adverses dans les réseaux électriques intelligents basées sur des graphes spatio-temporels

Génération et détection d’attaques d’injection de fausses données adversariales dans les réseaux intelligents à l’aide de graphes spatio-temporels Contexte et Introduction Les réseaux intelligents modernes, en tant que systèmes cyber-physiques (Cyber-Physical Systems, CPS), sont vulnérables aux cyberattaques en raison de leur interconnexion et du v...

Stabilisation adaptative floue déclenchée par événement des systèmes PDE-ODE paraboliques

Rapport Scientifique : À propos de « Event-Triggered Fuzzy Adaptive Stabilization of Parabolic PDE–ODE Systems » Contexte et Importance de l’Étude Dans les systèmes d’ingénierie modernes comme les manipulateurs flexibles, les dispositifs de transfert thermique et les contrôleurs de réacteur, de nombreux systèmes complexes doivent être modélisés à l...

Intégration d'oxydes natifs de gallium à haute κ pour les transistors bidimensionnels

Rapport sur une étude portant sur l’intégration de l’oxyde de gallium à haute constante diélectrique pour les transistors bi-dimensionnels Contexte académique Avec les progrès constants dans la technologie des semi-conducteurs, les matériaux bidimensionnels (comme le disulfure de molybdène, MoS₂) sont considérés comme des candidats potentiels pour ...

Caractérisation cryogénique rapide de 1 024 dispositifs à points quantiques en silicium intégrés

Rapport sur l’article académique concernant la caractérisation cryogénique rapide de 1 024 dispositifs à points quantiques intégrés en silicium Introduction générale L’informatique quantique, en tant que technologie de rupture dans le domaine calculatoire, promet de surpasser les ordinateurs classiques haute performance dans des domaines tels que l...

Transistors tridimensionnels avec des semi-conducteurs bidimensionnels pour la mise à l'échelle future des CMOS

Rapport sur un article scientifique : Transistors tridimensionnels à base de semi-conducteurs bidimensionnels pour l’avenir du CMOS Contexte et objectif de la recherche Dans un contexte où la technologie CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) à base de silicium approche ses limites physiques, cette étude se concentre sur l’exploration des m...