Transistors à effet de champ p-types haute performance : dopage substitutionnel et contrôle d’épaisseur des matériaux bidimensionnels Contexte académique Avec le développement continu de la technologie des semi-conducteurs, les transistors à effet de champ (FETs) en silicium approchent leurs limites physiques en termes de performances. Pour surpass...

Contexte académique Le développement rapide de l’informatique axée sur les données et de l’IA a conduit à un besoin accru en dispositifs électroniques plus performants et plus efficaces énergétiquement. Toutefois, la technologie actuelle des semi-conducteurs CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) en silicium atteint ses limites physiques et...

Une percée innovante dans le système d’échomyographie portable à transducteur unique : surveillance des dynamiques musculaires et suivi complexe des gestes Contexte académique et importance de la recherche Ces dernières années, les dispositifs électroniques portables ont attiré une attention croissante en raison de leur potentiel dans la surveillan...

Capteur Biosensor Métamatériau Brodé Numériquement : Surveillance Sans Contact des Signaux Biologiques dans des Environnements Dynamiques Au cours des dernières années, avec l’essor des besoins en voitures intelligentes, en sécurité aérienne et en surveillance de la santé, diverses technologies de capteurs ont connu une croissance rapide. Cependant...

Étude sur les memristors analogiques avec cathode métallique van der Waals bidimensionnelle Contexte scientifique Avec le développement rapide des applications d’intelligence artificielle (IA), l’architecture conventionnelle de type von Neumann atteint ses limites pour les tâches intensives en données. Le calcul neuromorphique, en tant que nouvelle...